张海鹏，章红芳，吕幼华（杭州电子工业学院电子信息分院, 浙江 杭州310037）摘要：主要讨论了Si1-x Gex/SOI材料的Si1-x Gex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质，比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导与石英光波导在光、光电集成方面的优势，简述了与体硅相比，SOI在VLSI应用方面的优越性及其在微电子领域的广泛应用。最后探讨了Si1-xGex/SOI材料在光电集成和光集成领域的巨大应用前景。 关键词：Si1-xGe x