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搜索资源列表

  1. Virus.MSExcel.Sic.f 专杀工具

  2. Virus.MSExcel.Sic.f 专杀工具,不知是什么语言的，不过很有效。 看不懂文字的，到以下连接，看图。 http://user.qzone.qq.com/405562/blog/1320078087

  3. 所属分类：系统安全

    • 发布日期：2011-11-01
    • 文件大小：18432
    • 提供者：xplong

  1. 基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制

  2. 碳化硅半导体材料与器件，主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-12-23
    • 文件大小：380928
    • 提供者：u013256033

  1. sic 二极管仿真模型orcad capture Pspice、Altium

  2. Sic二极管目前在仿真软件的元件库中并没有，这个是我从sic二极管官网上下载的仿真模型。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-12-14
    • 文件大小：7168
    • 提供者：pie25zhong2

  1. vlast zf mmse sic

  2. mimo系统，发端采用vblast空时调制，经过瑞利衰落，收端采用zf mmse sic均衡，比较性能

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-04-30
    • 文件大小：6144
    • 提供者：qsdzxp

  1. mimo检测算法zf.zf-sic,mmse,mmse-sic性能matlab仿真

  2. mimo检测算法zf.zf-sic,mmse,mmse-sic性能曲线的matlab仿真，实测可用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-05-10
    • 文件大小：5120
    • 提供者：wilburyan

  1. A Performance Study of CSMA in Wireless Networks with SIC

  2. 针对CSMA协议的干扰抵消技术。Successive interference cancellation (SIC) is an effectiveway of multipacket reception to combat interference. As conventional CSMA (Carrier Sense Multiple Access) is designed for single packet reception, it is unclear whether or not

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2016-01-12
    • 文件大小：263168
    • 提供者：libpcap1980

  1. SIC 刻字机资料

  2. SIC通讯说明书

  3. 所属分类：系统集成

    • 发布日期：2017-05-16
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：zhuzhengxi

  1. SIC加入马氏体不锈钢 外文翻译

  2. 纳米SIC粉体加入到不锈钢中毕设论文相关的外文翻译 题目是AISI410马氏体不锈钢在低温条件下等离子氮化，碳化和渗碳氮化的对比研究

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：cycloneee

  1. 2D蛛网仿生结构SiC/SiC复合材料构筑及其涡轮叶盘性能

  2. 2D蛛网仿生结构SiC/SiC复合材料构筑及其涡轮叶盘性能，郭小军，刘小冲，涡轮转子是燃气涡轮发动机（GTE，gas turbine engine）的核心部件。受到蜘蛛网强韧性和协同承载特性启发，本研究提出构筑蛛网仿生结构（

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：1020928
    • 提供者：weixin_38721811

  1. 体加热微波热诱导裂纹扩展切割SiC陶瓷和玻璃

  2. 体加热微波热诱导裂纹扩展切割SiC陶瓷和玻璃，王海龙，张宏志，本文提出一种体加热微波诱导裂纹扩展切割硬脆材料的加工方法。该方法具有绿色切割、无损切割和经济性强等特点。首先对微波体加热

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-13
    • 文件大小：880640
    • 提供者：weixin_38710524

  1. 6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究

  2. 6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究，韩铭浩，申人升，通过电子束蒸发设备，在6H-SiC单晶衬底上蒸镀金属Ni做为掩膜图形，利用光刻技术获得图形化Ni掩膜。采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：493568
    • 提供者：weixin_38705762

  1. SiC纳米线弯曲变形下的电学性能研究

  2. SiC纳米线弯曲变形下的电学性能研究，高攀，王疆靖，在透射电子显微镜下，利用纳米操控系统对单根SiC纳米线进行了系列操控，包括单根纳米线的选取、固定、应变加载等，并对其电学输运

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：551936
    • 提供者：weixin_38656142

  1. 纳米SiC表面镀铜对铜基复合材料性能的影响

  2. 纳米SiC表面镀铜对铜基复合材料性能的影响，唐雷，崔振铎，采用简单而方便的化学镀方法，在不同工艺与温度条件下制备了Cu包覆纳米SiC颗粒，并利用粉末冶金工艺制备了镀铜SiC弥散强化铜基复合�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：762880
    • 提供者：weixin_38651286

  1. 三维针刺C/SiC复合材料动态压缩力学行为研究

  2. 三维针刺C/SiC复合材料动态压缩力学行为研究，李玉龙，索涛，利用电子万能实验机及Hopkinson压杆对三维针刺碳纤维增韧的碳化硅复合材料进行了应变率为10-4 至6.5 103 1/s的单轴压缩力学性能测试。实�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-05
    • 文件大小：843776
    • 提供者：weixin_38627104

  1. ZnO/SiC界面形成及其电子结构的光电子能谱研究

  2. ZnO/SiC界面形成及其电子结构的光电子能谱研究，徐彭寿，邹崇文，利用同步辐射光电子能谱（SRPES）和X射线光电子能谱(XPS)技术，研究了金属Zn在6H-SiC表面的吸附和热氧化以及ZnO/SiC的界面形成与电子结构�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-04
    • 文件大小：263168
    • 提供者：weixin_38535221

  1. 先驱体裂解转化法制备SiC/SiAlCN微晶玻璃

  2. 先驱体裂解转化法制备SiC/SiAlCN微晶玻璃，唐保军，张跃，本文将有机先驱体聚碳硅烷（PCS）与聚铝硅氮烷（PAS）按照不同比例混合均匀，经高温裂解无机化、结晶化处理，制得SiC晶粒均匀弥散在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-01
    • 文件大小：646144
    • 提供者：weixin_38621870

  1. Si端面β-SiC(001)表面的原子结构随温度变化的分子动力学模拟

  2. Si端面β-SiC(001)表面的原子结构随温度变化的分子动力学模拟，马梨，赵耀林，本文采用了Tersoff/ZBL势对不同温度下Si端面的β-SiC(001)表面的原子结构进行了分子动力学（MD）模拟研究。模拟发现，各温度下Si端面的β-Si

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-29
    • 文件大小：912384
    • 提供者：weixin_38679277

  1. SiC涂层作为第一壁材料的高热流测试研究

  2. SiC涂层作为第一壁材料的高热流测试研究，王雪，朱小鹏，SiC涂层作为第一壁能够克服一般纯碳材料的诸多缺点，因而得到广泛的关注和研究。利用具有高稳定性的强流脉冲离子束装置对SiC涂层进

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：923648
    • 提供者：weixin_38747592

  1. 交替磁控溅射法制备SiC/ZnO纳米颗粒的微观结构及发光机理研究

  2. 交替磁控溅射法制备SiC/ZnO纳米颗粒的微观结构及发光机理研究，郑越，师春生，本文采用了交替磁控溅射以及在N2保护下退火成功制备了SiC/ZnO纳米颗粒膜，实验结果表明：退火温度对SiC/ZnO纳米颗粒膜的微观结构和发�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38501916

  1. 聚硅氮烷/聚碳硅烷制备SiC/SiCN微晶玻璃

  2. 聚硅氮烷/聚碳硅烷制备SiC/SiCN微晶玻璃，唐保军，张跃，通过液相混合聚硅氮烷（PSZ）和聚碳硅烷（PCS），由先驱体转化制备SiC/SiCN微晶玻璃。结果表明，当PSZ/PCS=1（wt/wt），450℃/1 h热压成型，1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-24
    • 文件大小：523264
    • 提供者：weixin_38523728
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