基于LPC2377 LPC2378的嵌入式工业控制系统硬件设计指南pdf,基于LPC2377 LPC2378的嵌入式工业控制系统硬件设计指南州致远电子有限公司 嵌入式工业控制模块 销售与服务网络(一) 广州周立功单片机发展有限公司 地址:广州市天河北路689号光大银行大厦12楼F4邮编:510630 电话:(0203873091638730917387309723873097638730977 传真:(020)38730925 网址:www.zlgmcu.com 广州专卖店 南京周立功 地址:广

LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfpdf,LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfLED的效率提升得很快:目前大功率白光平均光输出为60~80流明每瓦(lmW),2008年底有 望达到120lmW。LED的长寿命让固态照明非常有吸引力。机械上SSL也比白炽灯和荧光灯 更坚固。目前固态照明还未能实现家用,因为丕需要电源转换,而且比较昂贵,尽管成本正 在下降。闪光LED日前已经广泛应用了。 白炽灯泡丰常便宜,但效率也很低,家用钨丝灯为6Im/W,卤素灯大约为22lmW。荧光 灯效率很高,50到

将多能铝（Al +）注入4H-SiC（0001）外延层并通过石墨封装进行活化退火本文对层进行了研究。 测量结果表明，已形成了Al +掺杂盒掺杂曲线，并具有较高的掺杂浓度。 使用水平化学气相沉积（CVD）在1600°C下退火40分钟，可实现78％的离子活化率React堆。 与高温植入后活化退火（PIA）Craft.io相关的阶梯聚束效应通过使用石墨包封层可以显着地抑制Al 2 O 3。 PIACraft.io后注入的4H-SiC的表面光滑，平均表面粗糙度（RMS）值小，约为1.16 nm。 结果表

具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件的工作温度局限在175℃。SiC器件的高温工作能力降低了对系统热预算的要求。此外，SiC器件还具有较高的热导率、高击穿电场强度、高饱和漂移速率、高热稳定性和化学惰性，其击穿电场强度比同类Si器件要高。 　　传统的功率半导体封装技术是采用铅或无铅焊接合金把器件的一个端面贴合在热沉衬底上，另外的端面与10-2