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  1. 基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制

  2. 碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2013-12-23
    • 文件大小:380928
    • 提供者:u013256033
  1. T7-从硅往碳化硅器件过渡中变流器设计的十个常见问题.pdf

  2. SiC的成本问题? 甚么是合适的应用? 如何驱动⻔极? 用体二极管 还是同步整流? 如何降低杂散电感带来的影响? 如何对短路、过电流和过电压作保护? 如何计算损耗和结温? 如何缓和高dV/dt(电压变化速率)带来的影响? ⻓期可靠性要注意什么? SiC MOSFET器件是否可以并联?
  3. 所属分类:教育

    • 发布日期:2020-04-24
    • 文件大小:18874368
    • 提供者:qq_43722402
  1. 三维针刺C/SiC复合材料动态压缩力学行为研究

  2. 三维针刺C/SiC复合材料动态压缩力学行为研究,李玉龙,索涛,利用电子万能实验机及Hopkinson压杆对三维针刺碳纤维增韧的碳化硅复合材料进行了应变率为10-4 至6.5 103 1/s的单轴压缩力学性能测试。实�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-05
    • 文件大小:843776
    • 提供者:weixin_38627104
  1. 碳热还原法合成碳化硅晶须的研究

  2. 碳热还原法合成碳化硅晶须的研究,万隆,汪洋,以工业硅溶胶和炭黑为主要原料,用溶胶-凝胶和碳热还原法合成了SiC晶须。获得的产物中碳化硅含量高于95%,碳化硅晶须含量高于74%�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-25
    • 文件大小:415744
    • 提供者:weixin_38590567
  1. 纳米碳化硅晶须单分子光谱

  2. 纳米碳化硅晶须单分子光谱,张洪涛,陈坤,本文描述了SiC 纳米晶须的室温单分子光谱特征。 实验观察到其单分子光谱在400 nm-450nm出现强度极高的发射峰。纳米碳化硅单分子光谱在�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-24
    • 文件大小:309248
    • 提供者:weixin_38646914
  1. 热丝CVD低温下快速制备碳化硅基硅纳米晶薄膜的研究

  2. 热丝CVD低温下快速制备碳化硅基硅纳米晶薄膜的研究,蒋继文,刘艳红, 采用热丝化学气相沉积(HWCVD--Hot Wire Chemical Vapor Deposition)技术在低温下制备碳化硅基硅纳米晶(Si-NC:SiC --Si NanoCrystal embedded in Silicon Carb
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-15
    • 文件大小:355328
    • 提供者:weixin_38670065
  1. 甲醇和乙醇在负载纳米钯粒子的碳化硅修饰玻碳电极上的电催化氧化

  2. 甲醇和乙醇在负载纳米钯粒子的碳化硅修饰玻碳电极上的电催化氧化,付妹,张书培,在本论文中,通过NaBH4 的还原性质用化学合成的方法制得了新的Pd/SiC纳米结构的电化学催化剂,其中钯纳米粒子是化学沉积在SiC纳米粒子
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-15
    • 文件大小:532480
    • 提供者:weixin_38620267
  1. 碳化硅颗粒尺寸对SiCp/Al2014复合材料组织与拉伸性能的影响

  2. 碳化硅颗粒尺寸对SiCp/Al2014复合材料组织与拉伸性能的影响,赵卫星,邱丰,在本文中,通过搅拌铸造法成功制备出了SiC颗粒尺寸为5微米、10微米、15微米的SiCp/2014Al复合材料。研究了SiC颗粒尺寸对SiC颗粒在SiCp/Al2014
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-11
    • 文件大小:794624
    • 提供者:weixin_38534444
  1. 采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究

  2. 采用二次离子质谱法开展碳化硅中Cs离子迁移扩散的研究 ,臧航,黄智晟,首先用1.5 MeV的Si离子在常温下注入多晶化学气相沉积3C-SiC制备非晶SiC,注量为5E16 cm-2,然后使用400keV的Cs离子在常温下注入多晶化学气相�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-03
    • 文件大小:435200
    • 提供者:weixin_38663197
  1. 电致发热多孔SiC陶瓷绝缘涂层的研究

  2. 电致发热多孔SiC陶瓷绝缘涂层的研究,王玲艳,王晓刚, 本实验以异丙醇铝为主要原料,用溶胶-凝胶法制备Al2O3溶胶,然后再以碳化硅多孔陶瓷为基体,在其表面与孔隙内壁进行涂层,以达�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-30
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38621312
  1. 原位生长碳纳米管增强SiCf/SiC复合材料的力学性能

  2. 原位生长碳纳米管增强SiCf/SiC复合材料的力学性能,周新贵,余金山,碳化硅纤维增强碳化硅复合材料(SiCf/SiC)是航空航天和聚变能源等高技术领域理想的高温结构材料,改善纤维与基体的界面结合是提高�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-07
    • 文件大小:459776
    • 提供者:weixin_38626192
  1. 碳化硅表面改性对SiCp/2014Al复合材料组织与拉伸性能的影响

  2. 碳化硅表面改性对SiCp/2014Al复合材料组织与拉伸性能的影响,赵卫星,邱丰,在本文中,通过搅拌铸造法成功制备出了SiCp/2014Al复合材料,其中,SiC颗粒分别进行酸洗、氧化、镀钛三种不同的表面预处理。研究了不�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-07
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38562026
  1. 碳化硅辐照效应研究

  2. 碳化硅辐照效应研究 6H-SiC研究 辐照效应
  3. 所属分类:教育

    • 发布日期:2013-08-28
    • 文件大小:4194304
    • 提供者:u011858783
  1. 碳化硅纤维材料的发展趋势及前景应用

  2. 随科技的发展高性能纤维的需求俞显奇缺,尤其在航空、航天、原子能、高性能武器装备及高温工程等诸多领域,迫切需要高比强度、高比模量、耐高温、抗氧化、耐腐蚀的新型材料。出于SiC的宽禁带性质,SiC制备的紫外光电探测器可在极端条件下应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测、臭氧层监测、短波通讯以及导弹羽烟的紫外辐射探测等领域,并适用于恶劣环境的光探测器件与光传感器开发。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2012-02-16
    • 文件大小:21504
    • 提供者:yuruofengxin
  1. 碳化硅 在陶瓷行业中的应用

  2. 碳化硅(SiC)陶瓷,具有抗氧化性强,耐磨性能好,硬度高,热稳定性好,高温强度大,热膨胀系数小,热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此,已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手,日益受到人们的重视。例如,SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等
  3. 所属分类:PHP

    • 发布日期:2011-12-10
    • 文件大小:29696
    • 提供者:a8288618
  1. 氧化锆细粒喷丸处理对氧化锆-碳化硅复合材料滑动磨损的影响

  2. 为了提高ZrO2 /的耐磨性,研究了喷丸处理的氧化锆-碳化硅复合材料(ZrO2 / SiC)板在氮化物球在压缩残余应力下的滑动接触疲劳磨损性能。 SiC摩擦件。 在Hertziancontact滑动试验中,喷丸处理后的ZrO2 / SiC板的耐磨性高于未进行喷丸处理的板。 由于细微的氧化锆颗粒喷丸处理,ZrO2 / SiC板近表面的ZrO2中的四方相晶体结构发生了变化,并且可以将1100 MPa的压缩残余应力引入ZrO2 / SiC板的近表面层。 确定压缩残余应力是改善ZrO2 / SiC板的耐
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-05
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38740391
  1. 碳化硅和氢化钛对铝合金起泡性的影响(6061)

  2. 泡沫铝是一种轻质材料,具有良好的机械和能量吸收性能。 在这项研究中,使用铝粉6061和碳化硅(SiC)粉制造泡沫铝复合材料。 氢化钛(TiH2)被用作发泡剂。 使用冷压块然后热压(烧结)来生产复合材料前体。 在烧结过程之后,通过将铝复合材料前体加热到高于铝(Al)的熔点的温度来进行发泡。 发现泡沫的线性膨胀和孔隙率百分比随着SiC百分比从10%降低到4%而增加,而密度降低。 发现随着发泡剂的百分比从0.5%增加到1.5%,孔隙率百分比和线性膨胀百分比均增加。 对两个不同的孔隙率值(40%和47%
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-04
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38640242
  1. 碳化硅合成中扩散动力学机制研究与探讨

  2. 对采用多热源技术工业合成SiC中扩散动力学机制进行了研究与探讨。论述了工业中供电制度对物质扩散动力学的影响,进而从理论上探讨了供电制度对能耗水平及产品品质的重要影响,以及原料颗粒大小与反应动力学之间的关系,以期促进我国这类产业步入合理的能耗水平、高质量产品和高效率生产轨道,从根本上提升产业的科学技术水平,增强产品市场竞争力。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-03
    • 文件大小:315392
    • 提供者:weixin_38564503
  1. SiC 碳化硅

  2. top1000的SiC 碳化硅专利 pdf 一种用于便携式制氧机的集成截止阀的分子筛床排气端盖 耐磨耐冲刷的重防腐纳米化陶瓷胶泥及其制备方法和使用方法 一种单板双封结构的双管板碳化硅换热器 一种分流板流道清胶方法及设备 耐高温高压电缆及制备方法 一种环保型铝镁铬质高性能无水炮泥及制备方法 一种快充耐腐蚀镀层 一种SiC MOSFET器件结构 管状热电堆传感器 具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法 短切碳化硅纤维增强ZrC多层包壳材料及其制备方法
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2020-10-11
    • 文件大小:603979776
    • 提供者:weixin_44035342
  1. 第三代半导体SIC碳化硅行业报告

  2. SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证:根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露,目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短,在车载领域才刚 开始商用(Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块),一些诸如短路耐受时 间等技术指标没有提供足够多的验证,SIC MOS 在车载和工控等领域验证自己的 稳定性和寿命等指标需要较长时间; 根据 Yole 预测,SIC 和 GaN 电力电子器件(注意是 GaN 在电力电子中的应 用,不包括在高频射频器件)2023 年在
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-19
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38607552
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