熊小义，刘志农，张伟，付玉霞，黄文韬，刘志弘，陈长春，窦维治，线佩信（清华大学微电子学研究所，北京 100084）摘要：在SiGe HBT的制造工艺中，为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤，从而导致SiGe HBT小电流下较大漏电问题，为SiGe HBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度，从中获得了较为理想的腐蚀条件。 关键词：湿法腐蚀；SiGe；异质结双极晶体管；超高真空低压化学汽相淀积中图分类号：TN32 文献标识码：A文章编号：1671-4776（2