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TI温度传感器TMP122、TMP124的SPI驱动程序
TI温度传感器TMP122、TMP124的SPI驱动程序 SPI模式读取数据,同时也是SPI总线的经典应用!
所属分类:
硬件开发
发布日期:2009-06-05
文件大小:2048
提供者:
littlemouse11
TI-92图形计算器模拟软件
力荐!能够画图象、解联立方程组以及执行其它各种操作的手持计算器,大多数图形计算器还能编写程序。
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-06-19
文件大小:2097152
提供者:
c14y25t36
nVIDIA TNT2、GeForce、Quadro、GeForce2、Quadro2、GeForce3、GeForce2/3 Ti、Geforce4系列芯片显卡最新驱动28.32 WHQL版For Win2000/XP(2002年4月27
这个 据说是 GeForce2 MX/MX400 比较好的驱动,我的主板报废了,买个二手主板没有显卡,就找回了以前的 这个显卡,为了打反恐精英,就找到了这个 驱动,超级兔子驱动天使找的 驱动打 反恐精英有毛病,有点卡,但是这个显示效果不好,打游戏还可以 nVIDIA TNT2、GeForce、Quadro、GeForce2、Quadro2、GeForce3、GeForce2/3 Ti、Geforce4系列芯片显卡最新驱动28.32 WHQL版For Win2000/XP(2002年4月27日发
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-06-22
文件大小:8388608
提供者:
cs315315
TI高性能模拟器件在全国大学生电子设计竞赛中应用
TI高性能模拟器件在全国大学生电子设计竞赛中的应用典型实例
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-08-01
文件大小:13631488
提供者:
zhouclin
TI单片机程序示例(430程序)
TI单片机程序示例。包括系统时钟设定,定时器A,B,IIC,SPI、、ADC、比较器、UART、看门狗等等。很详细。主要是14x系列。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2009-08-11
文件大小:151552
提供者:
rfc2008
TI公司芯片CD4060pdf
ti公司的芯片cd4060,二进制的串行计数器、分频器芯片
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-11-05
文件大小:246784
提供者:
slk30000
WiFi、蓝牙、GPS多功能开发板
天漠推出的基于WiFi、蓝牙、GPS多功能开发板,OMAP3530双核处理器。2D图形加速能力。 更多详细信息请访问:www.timll.com
所属分类:
其它
发布日期:2009-11-23
文件大小:1048576
提供者:
timllomap
全球著名半导体厂家简介
自己整理的一些关于半导体厂家的简介以及公司logo 包括TI、ST、ON、IR、NS 等大的半导体厂家,拿出来与大家分享一下
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-04-05
文件大小:586752
提供者:
zuoyezilu
pcb库,包括ti、arm以及一些常用的
pcb库,包括ti、arm以及一些常用的,对硬件设计有帮助
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-04-25
文件大小:677888
提供者:
showming34
2014年TI杯电子设计竞赛元器件
2014年TI杯全国大学生电子设计竞赛基本芯片手册
所属分类:
软件测试
发布日期:2014-08-05
文件大小:14336
提供者:
u014028200
创龙带您解密TI、Xilinx异构多核SoC处理器核间通讯-20200327.pdf
1什么是异构多核SoC处理器 顾名思义,单颗芯片内集成多个不同架构处理单元核心的SoC处理器,我们称之为异构多核SoC处理器,比如: TI的OMAP-L138(DSP C674x + ARM9)、AM5708(DSP C66x + ARM Cortex-A15)SoC处理器等; Xilinx的ZYNQ(ARM Cortex-A9 + Artix-7/Kintex-7可编程逻辑架构)SoC处理器等。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2020-03-27
文件大小:2097152
提供者:
Tronlong_
基于Ti/Al/TiC体系的热爆反应低温快速合成Ti2AlC陶瓷
基于Ti/Al/TiC体系的热爆反应低温快速合成Ti2AlC陶瓷 ,刘毅,李莹欣,为了低温快速制备出纯度高、晶粒尺寸小的Ti2AlC陶瓷,以Ti、Al和TiC粉为起始原料,首先按照一定比例将其混合均匀并压制成片,然后直�
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-17
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38611877
薄膜(DPC)覆铜(DBC)氮化铝、氧化铝陶瓷散热基板
陶瓷基板种类:氧化铝、氮化铝 陶瓷基板工艺:DPC、DBC 金属化工艺:印刷、化镀、电镀 金属层:铜Cu、镍Ni、钯Pa、金Au、银Ag、钛Ti、铬Cr等 合作伙伴:飞利浦、欧司朗、亿光、采钰、光磊、宏齐、艾迪森、日芯、聚恒等 产能:200000PCS/月(4.5英寸) 应用领域:室內/外照明燈具、戶外LED 看板裝置、汽車照明模組、LCD 面板背光源模組、高倍聚光太阳能、高亮度/高功率LED、IGBT 產品等 联系人:沈勇 手 机:18913106400 Q Q: 24024200
所属分类:
制造
发布日期:2012-07-25
文件大小:3145728
提供者:
ulisshen
汽车电子中的联大世平集团携手TI、Toshiba推出无线充电方案
2016年5月26日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出符合Qi标准的,基于TI的5V、12V无线充电输入发射端和接收端解决方案和基于Toshiba无线充电发射端和接收端解决方案。 无线充电技术在消费类市场表现出巨大的潜力。在不使用联机的情况下给电子设备充电不但可为便携式设备使用者提供一种便利的解决方案,而且还让广大设计人员能够寻找到更具创新性的问题解决方法。许多电池供电型便携式设备均能受益于这种技术,从手机和可穿戴设备到电动汽车不一而
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:304128
提供者:
weixin_38680506
元器件应用中的史上最全无线充电IC、方案、技术汇总
国外研发无线充电技术(包括芯片/方案/发射接收器件)的企业主要包括了IDT、TI、Freescale、高通、博通、安森美、Maxim、凌力尔特、NXP、ST、Intel(今年五月已关闭该业务)、Fulton、Witricity、PowerbyProxi(三星投资)、Energous、Delphi、松下、东芝、罗姆、富士通、瑞萨、理光等。 国内则有中惠创智、新页、中兴、劲芯微、美嗒嗒、微鹅、斯普奥汀、华润矽科、新捷、伏达、欢喜科技以及台湾凌阳、新唐、联发科、技领、立锜、盛群等。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:348160
提供者:
weixin_38601390
显示/光电技术中的TI、Altera合推低成本PCI-E参考设计
近年来,在PICMG协会(PCI Industrial Computer Manufactures Group)所公布的CompactPCI标准规范下,系统整合商可充分享受它所提供的坚固性(Rugged)、可靠性(Reliability)、可用性(Availability)及可管理性(Manageability)等模块化平台所带来的好处。其中在系统管理的部份,PICMG协会特别制定了PICMG 2.9的工业标准来加以规范。 PICMG 2.9系经由标准系统管理总线,采用了与IPMI(
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-30
文件大小:111616
提供者:
weixin_38662213
铌、铬对激光熔覆原位合成颗粒增强铁基复合涂层的影响
研究了铌、铬对激光熔覆制备的铁基颗粒增强复合涂层组织和性能的影响。在FeCSiB系熔覆粉末中复合添加Ti、W、Nb、Cr等碳化物形成元素,通过激光熔覆制备原位合成颗粒增强复合涂层。研究表明,单独及复合添加铌、铬均能获得显微硬度均匀分布且成形良好的熔覆层。通过改变铌和铬的含量和配比可以有效改变颗粒相的分布情况。单独添加铌时,熔覆层显微硬度随着铌含量的增加先减小后增大;单独添加铬时,随着铬含量的增大,熔覆层显微硬度呈下降趋势。抗冲击磨损性能与材料的韧性有关,微米级碳化物颗粒对涂层抗冲击磨损性能的提高
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-08
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38544152
稀土元素(镧、铈)掺杂TiO2复合材料的制备及其光催化性和抑菌性的研究
以钛酸丁酯(C16H36O4 Ti)、蒸馏水、无水乙醇、冰乙酸、氧化镧(La2O3)和氧化铈(CeO2)为原料, 采用溶胶-凝胶法制备了纳米TiO2和稀土元素掺杂的 TiO2复合材料。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、ICP-OES等离子体发射光谱元素分析、紫外-可见光谱仪和培养基扩散法对样品进行了表征和性能研究。 实验结果表明: 本实验成功制备了锐钛矿晶型的TiO2粉末和镧掺杂的二氧化钛粉末(La/TiO2), 因氧化铈微溶于酸, 没有溶解到溶液中, Ce基本没有掺入到二 氧化钛中, 所制备的
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-26
文件大小:4194304
提供者:
weixin_38677260
Ti含量对溶胶-凝胶法制备Ti、Ga共掺ZnO薄膜性能的影响
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上沉积纳米结构Ti、Ga共掺ZnO薄膜(TGZO,Ga掺杂量为1.0%(原子分数,下同)),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪、霍尔效应测试仪研究了Ti含量对TGZO薄膜的物相组成、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明:所有TGZO薄膜均表现出六方纤锌矿的多晶结构,并具有(002)择优取向生长,在380~780 nm波长范围内具有良好的透射率(>86%);随着Ti含量的增加,TGZO薄膜的晶粒尺寸和
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-25
文件大小:2097152
提供者:
weixin_38638292
史上全无线充电IC、方案、技术汇总
国外研发无线充电技术(包括芯片/方案/发射接收器件)的企业主要包括了IDT、TI、Freescale、高通、博通、安森美、Maxim、凌力尔特、NXP、ST、Intel(今年五月已关闭该业务)、Fulton、Witricity、PowerbyProxi(三星投资)、Energous、Delphi、松下、东芝、罗姆、富士通、瑞萨、理光等。 国内则有中惠创智、新页、中兴、劲芯微、美嗒嗒、微鹅、斯普奥汀、华润矽科、新捷、伏达、欢喜科技以及台湾凌阳、新唐、联发科、技领、立锜、盛群等。
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:313344
提供者:
weixin_38686677
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