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  1. Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ

  2. Vishay公司推出五款新型P通道负载开关,这些是业界首款能够以1.5V栅极驱动电压提供低导通电阻值的器件,而且导通电阻(RDS)低至45mΩ。凭借低阈值电压以及确保可在1.5V栅极驱动电压下运行的规范,这些新型器件使设计人员无需使用电平转换电路,并且最大程度地实现了电池供电系统中低工作电压的省电优势。     这五款功率MOSFET中的两款采用LITTLE FOOT TSOP-6封装的器件,它们分别具有20V (Si3495DV)和-8V(Si3499DV)漏极到源极击穿电压,在栅极驱动电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-02
    • 文件大小:40960
    • 提供者:weixin_38689824