日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 　　 提供支持所有功率转换

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内水平，该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 　   提供支持所有功率转