分析了W-型单模单偏振光纤中,椭圆内包层硼掺杂量与单模单偏振带宽的关系,得出了长W-型单模单偏振光纤的带宽与内包层硼掺杂量的大小无关,它只由光纤几何结构以及内包层折射率深度确定,而对于短W-型单模单偏振光纤,硼掺杂量的增加可以增大截止基模能量损耗,从而适度提高其消光比和有效带宽.