分析了W-型单模单偏振光纤中,椭圆内包层硼掺杂量与单模单偏振带宽的关系,得出了长W-型单模单偏振光纤的带宽与内包层硼掺杂量的大小无关,它只由光纤几何结构以及内包层折射率深度确定,而对于短W-型单模单偏振光纤,硼掺杂量的增加可以增大截止基模能量损耗,从而适度提高其消光比和有效带宽.

给出了一种新的数值计算W-型单模单偏振光纤截止基模能量损耗的方法--区域模场边界条件匹配法.用这种方法分析了截止基模能量损耗与光纤结构参数的关系,得出了截止基模能量损耗随椭圆内包层长半轴、短半轴或内包层折射率深度的增加而迅速减小,以及高椭圆度内包层情形下截止基模能量损耗仅由内包层短半轴、内包层折射率深度和纤芯外包层相对折射率差确定的结论;同时得出了截止基模能量损耗与纤芯外包层相对折射率差的平方根成正比的解析结果.最后将数值计算和实验进行了比较,两者较为一致.