我们研究了中心对称性的实现与SU（N）Yang-Mills理论中对拓扑参数θ的依赖性之间的关系，并利用痕量变形作为调节中心对称性破裂的工具，该方法具有较小的压紧方向。 我们特别考虑SU（4）规范理论，该理论接受两个可能的独立变形，并首先研究其变形平面中的相图，其中两个反向压缩半径值达到L-1〜 500 MeV，将Polyakov回路的有效单回路电势预测与晶格结果进行比较。 然后，通过数值模拟解决各个相位的θ依赖性，直至θ的四阶。 结果发现，在统计误差范围内，结果与标准受限相位的iff中心对称性