我们通过标准模型有效场理论（SMEFT）中的六维算子对Z衰减特性进行单环校正，这些校正也有助于异常的3号玻色子玻色子耦合，并研究了两个过程对异常耦合的相对敏感性。 贡献的大小约为百分之几，与标准模型电弱校正的大小相同。 这是在SMEFT中将电弱量计算为一环的程序的一部分：将来的全局拟合需要这些计算，以将一维六次Wilson系数的系数始终限制为一环。

希格斯衰变以规范玻色子对是研究希格斯性质的关键因素，其中衰变H→γγ对新的物理效应特别敏感。 假设所有潜在的新物理学都发生在远远超过弱尺度的能量上，则可以根据标准模型有效场论（SMEFT）的系数来参数化与标准模型预测的偏差。 当SMEFT系数的实验极限达到百分之几的准确度时，必须进行超出SMEFT最低阶的预测才能使理论和实验准确度相匹配。 本文完成了一个对H→VV'，V = W±，Z，γ的单环电弱SMEFT校正的计算程序。 对H→W +W-γ的实际贡献的计算是通过将两个回路的振幅映射到三体相空间