新特性如下： 增加了对GeForce GTX 770 GTX 780 GTX 650 Ti OEM GT 640 GK208 GT 630 GK208 GT 730M GT 750M GTX 780M GRID K1 GRID K2的支持 增加了对AMD Radeon HD 7730 HD 8310G HD 6480G HD 8410G HD 8450G HD 8510G HD 8550G HD 8610G HD 8650G的支持 修正了GeForce GTX 650 Ti Boost的BIO
字母A~Z走迷宫maze，如图成功： A B C . . . . . . . . . D . . . . . . . . . E . . . . . . . . . F . . . . . . . . . G H . . . . . . . . . I . . . . . . . . . J . . . X W V . . . K L M Z Y T U . . . . . N O P S . . . . . . . . Q R . 如图失败： A T U P O . . . . . B S
针对工作面接替紧张及回采巷道变形过大等问题,以50107Z型工作面作为董东矿切顶留巷实验,首先在工作面回采利用采煤机截割成巷,采用端头超前临时支护防护进行端头支护作业,并在巷旁打切顶眼,同时沿切顶线爆破切顶,紧跟端头进行巷道补强支护,最终实现Z型工作面切顶留巷。结果表明:留巷后,沿空巷旁最大顶板压力36.3 MPa,采空区最大侧压139 k N,巷道成形效果良好。
我们分析了未来Z工厂寻找质量从10 GeV到85 GeV的重中微子的能力。 重中微子N被认为是通过过程$$ e ^ + e ^-\ rightarrow Z \ rightarrow \ nu N $$ e + e-→Z→νN产生的，并衰变成电子或介子和两个射流。 通过此类信号事件和标准模型背景事件的蒙特卡罗模拟，我们获得了横截面$$ \ sigma（e ^ + e ^-\ rightarrow \ nu N \ rightarrow \ nu \ ell jj）的上限 Z因子给出的$$σ（e
