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  1. 0．5μm CMOS带隙基准电路设计

  2. 现以带隙基准电压源的产生原理为基础，提出了一种具有良好自启动和低功耗特性的CMOS带隙基准电压源。该带隙基准电压源用于BLVDS总线收发器电路，主要为BLVDS总线驱动器、接收器提供所需的1．25 V偏置电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38629303

  1. 一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38571992

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 本文为读者提供了关于低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究方案，供正在学习的读者参考学习。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：101376
    • 提供者：weixin_38528086

  1. 带隙基准电压源的总体电路图

  2. 本文介绍了一款高性能带隙基准电压源的总体电路图。本电路采用Chartered0.35靘CMOS工艺实现，采用3.3V电源电压，在-40~100℃范围内，达到低于6ppm/℃的温度系数，在1kHz和27℃下，电源抑制比达到82dB.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-20
    • 文件大小：70656
    • 提供者：weixin_38552239

  1. 低功耗带隙基准电压源电路设计

  2. 文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38677234

  1. 电源技术中的一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

  2. 一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550605

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究,算法，应用场合。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2015-09-06
    • 文件大小：166912
    • 提供者：me0758

  1. 电源技术中的一种高精度带隙基准电压源电路的实现

  2. 1　引言 　　近年来，模拟集成电路设计技术随着CMOS工艺技术一起得到了飞速的发展，芯片系统集成（sys2temonchip）技术已经受到学术界及工业界广泛关注。随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块，如A/D、D/A转换器，滤波器电路以及锁相环等电路提出了更高精度及速度的要求。由于带隙基准电压、电流源电路的输出电压及电流几乎不受温度和电源电压变化的影响，这就使得片内集成的带隙基准电压、电流源电路成了模拟集成电路芯片中不可缺少的关键部件。传统的基准电压源电路在0～70℃的温度范围内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38609002

  1. 0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38651661

  1. 0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计[图]

  2. 基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6V的CMOS基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：236544
    • 提供者：weixin_38503496

  1. 一种带隙基准电压源的设计与仿真

  2. 设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：286720
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析，然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源，采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路，使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原理，给出了电路的仿真结果，并对结果进行了分析。并基于CSMC 0．5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真，得到理想的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：350208
    • 提供者：weixin_38673924

  1. 一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  2. 为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25μm N阱CMOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3 V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1 mV，室温时电路的功耗为5．283 1 mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38628150

  1. 电源技术中的一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。 　　0 引 言 　　基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38547532

  1. 模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38703468

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1. CMOS带隙基准电压源的设计

  2. CMOS带隙基准电压源的设计、电子技术,开发板制作交流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：217088
    • 提供者：weixin_38619613

  1.  一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

  2. 介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：807936
    • 提供者：weixin_38677255

  1.  一种高精度带隙基准电压源电路设计

  2. 针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电压源。基于0.5 μm高压BiCMOS工艺对电路进行了仿真，结果表明，在-40℃~85℃范围内，该带隙基准电路的温度系数为7ppm/℃，室温下的带隙基准电压为1.215 V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748740

  1.  高精度CMOS带隙基准电压源电路设计

  2. 设计了一种应用于集成稳压器的高精度带隙基准电压源电路。采用共源共栅电流镜结构以及精度调节技术，有效提高了电压基准的温度稳定性和输出电压精度。经Hynix 0.5 μm CMOS工艺仿真验证表明，在25 ℃时，温度系数几乎为零，基准电压随电源电压变化小于0.1 mV；在-40～125 ℃温度变化范围内，基准电压变化最大4.8 mV，满足设计指标要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-29
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38664612
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