高速FPGA PCB设计指南Over the past five years, the development of true analog CMOS processes has led to the use of high-speed analog devices in the digital arena. System speeds of 150 MHz and higher have become common for digital logic. Systems that were c
通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor，CNFET)和多值存储原理的研究，提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器，并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储；其次结合读写共用的单端口方法，减少互连线数量；然后采用隔离和切断交叉耦合技术，增强三值数据存储的稳定性；最后通过HSPICE仿真，结果表明所设计的电路逻辑功能正确，且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%
最近几年，我们已经开始看到一些有关射频(RF)CMOS工艺的参考文献和针对这些工艺的RF模型参考文献。本文将探讨这类RF所指代的真正含义，并阐述它们对RF电路设计人员的重要性。 我们可以从三个角度对RF CMOS设计进行探讨：首先，低频模拟设计人员正在将其设计提升到更高频率；其次，分立RF/微波设计人员转而借助集成手段；最后，设计人员将串行器/解串器(SERDES)这样的数字电路提升到工艺能够支持的最高频率。在上述三种情况下，RF CMOS设计都大有帮助，我们也将从这些视角出发，来解释RF C
