您好,欢迎光临本网站![请登录][注册会员]  

搜索资源列表

  1. CMOS集成电路工艺.rar

  2. 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区,非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层、薄氧化层
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2020-07-08
    • 文件大小:23068672
    • 提供者:weixin_42576437