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  1. 详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤.doc

  2. ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-07-23
    • 文件大小:62464
    • 提供者:weixin_39840650
  1. 单级桥式PFC电路功率变压器偏磁产生机理分析.pdf

  2. 单级桥式PFC电路功率变压器偏磁产生机理分析pdf,提出一种单级全桥软开关功率因数校正电路,它采用移相控制方式,能同时实现功率因数校正、软开关、输出电压调节和电气隔离.但由于电路特殊的控制方式和所要实现的功率因数校正功能,该校正电路中的功率变压器除存在普通全桥变换器产生偏磁的原因外,还存在产生偏磁的特殊因素.本文在分析变换器的电路结构和工作原理之后,对偏磁的产生机理进行了分析,指出了该变换器影响偏磁大小的各种因素,并给出一种解决措施,可有效抑制偏磁的产生,最后的仿真和实验证明了理论分析的正确性第
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-14
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38744270
  1.  mos管小电流发热的原因

  2. mos管小电流发热的原因 1、电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。 2、频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。 3、没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-13
    • 文件大小:41984
    • 提供者:weixin_38650150