注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. multisim12清华大学本科教育所用的例子

  2. 本人亲测，都可以用。自己也是学电子的，所以好的资料就分享出来，希望对你有用。 主要包括： 模拟部分： MD1 1-1 二极管加正向电压 1-2 二极管加反向电压 1-3 IV法测二极管伏安特性 1-4 用万用表检测二极管 1-5 例1.2.1电路 1-6 直流和交流电源同时作用于二极管 1-7 半波整流电路 1-8 全波整流电路 1-9 单向限幅电路 1-10 双向限幅电路 1-11 底部钳位电路 1-12 顶部钳位电路 1-13 振幅解调电路 1-14 振幅调制电路 1-15 稳压二极管稳压

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-03-29
    • 文件大小：39845888
    • 提供者：xmlizzy

  1. ewb multisim 仿真实例电路图全集

  2. 多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件，压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-21
    • 文件大小：55574528
    • 提供者：freedom366

  1. UCS512B(4通道）

  2. 功能描述： UCS512B是DMX512单线并联协议LED驱动芯片，可选择4通道高精度恒流输出，UCS512B 解码技术 精准解码DMX512信号，可兼容并拓展512协议信号，UCS512B对传输频率在250K-750K以内的DMX512信号 完全自适应解码，无需进行任何速度设置，寻址可达4096通道。UCS512B内置E2PROM，无需外接，同时 支持在线写码，可通过地址写码线级联点与点间距100米内任意多个UCS512B 芯片一次性在线写码。芯 片提供4个耐压26V的可达60毫安的高精度恒

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-19
    • 文件大小：872448
    • 提供者：leo1819

  1. UCS512C（sop）

  2. 功能描述： UCS512C是512差分并联协议LED驱动芯片，灰度等级16位，伽马校正2.2增强型，可选择1/2/3/4 通道高精度恒流输出，UCS512C 解码技术精准解码DMX512信号，可兼容并拓展512协议信号，UCS512C 对传输频率在200K-750K以内的DMX512信号完全自适应解码，无需进行任何速度设置，寻址可达4096通 道。UCS512C内置E2PROM，无需外接，同时支持在线写码。芯片提供4个耐压30V以上的最高可达80毫安 的高精度恒流输出通道，并且藉由1个外接电阻

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-19
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：leo1819

  1. 一份资料看懂集成电路布局版图注意事项.rar

  2. 共质心版图是单步减小大范围应力诱发失配最有效的技术。下图中的ABAB结构两个器件的质心没有完全对准，应避免使用。ABBA结构虽然需要加Dummy器件，但其可以很好的减小应力诱发失配的影响。   当很多多晶电阻并排摆放时，在阵列边缘的电阻条会受到刻蚀速率变化的影响，电阻朝外的侧壁会很快刻蚀玩，朝内的边刻蚀速率很慢，中间的电阻没有向外的边缘，因此最终宽度会比其他电阻稍大。Dummy resistor添加到匹配电阻阵列的两端，以保证刻蚀的一致性。Dummy resistor的宽度可以比它们所保护的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：868352
    • 提供者：weixin_39840387

  1. 详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤.doc

  2. ZVS即所谓零电压开关（ZVS）/零电流开关（ZCS）技术，或称软开关技术，小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理： 1. 上电瞬间，电源电压流经R1，R2，经过ZD1，ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1，MOS2的GS极，因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性（例如：MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等），导

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_39840650

  1. 工程师秘籍：多颗MOS管的并联应用研究 - 门极驱动器 - LED社区.pdf

  2. 讲解了MOS管并联均流的应用原理，由于MOS并联时特性较难掌握，此文章对多个MOS并联的技术进行了相关研究

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-06-05
    • 文件大小：681984
    • 提供者：hejiexue_zzuli

  1. mos管如何并联使用？

  2. mos管如何并联使用？ 并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。 MOS管并联方法电路图 以3只IR公司的IRF2807MOS管并联试验为例，工作电路图如图1。 MOS管并联工作原理 在图1中，采用对每个并联的MOS管单独实限流技术来限制流过每个MOS管的电流。具体方法如下： 在每个MOS管串联作电流检测用的采样电阻（图中的RlO、Rll、R12），实时对流过每

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：82944
    • 提供者：weixin_38703906

  1. 基于C8051F340的开关电源模块并联供电系统设计

  2. 本系统以C8051F340单片机为控制核心，通过对输出电压和电流采样计算，改变单片机PWM占空比输出，控制MOS管的通断，实现了两个额定输出功率均为16W的8V DC/DC模块并联供电。经测试，该供电系统供电效率为70.57%；调整负载电阻，两个模块的输出电流I1、I2之和为4 A范围内实现I1、I2按1:1和1:2模式自动分配电流，其相对误差绝对值不大于2%

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-28
    • 文件大小：360448
    • 提供者：weixin_38604916

  1. 多颗MOS管的并联应用研究

  2. MOSFET 开关管在开关电源中并联技术的应用及注意事项，

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-11-17
    • 文件大小：75776
    • 提供者：qq_32893889

  1. 交错并联CCM Boost PFC变换器研究

  2. 针对功率因数校正变换器电感电流连续导电模式(Continue Conduction Mode, CCM)时，两相交错并联Boost PFC变换器各支路不均流造成某一支路中开关管电流应力加大的问题，采用占空比补偿电流控制策略。该控制策略在平均电流控制的基础上，在并联支路内部加入补偿环，根据每相电流与1/2给定输入电流的偏差程度对占空比进行补偿，实现了并联两支路的均流，最终达到减小开关管电流应力的目的。最后，建立了仿真电路，通过仿真分析可知，未采用该控制策略时，两支路电流分别为5 A与2.2 A，其

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：500736
    • 提供者：weixin_38551938

  1. 一种交错并联Boost PFC变换器的控制方法

  2. 针对交错并联Boost PFC变换器工作在电流临界模式(Critical Conduction Mode，CRM)时，过零检测方法复杂和输入电流波形畸变的问题，提出了一种新颖的控制方法。该方法基于新型开关管电压检测电路，通过检测MOS管漏源电压，并经由比较器得到过零信号，实现了开关管的零电压开通或谷底开通，极大地降低了开关损耗。采用开关管导通时间补偿策略，提高电感电流平均值，改善了由电感和MOS管寄生电容谐振导致的输入电流波形畸变现象。最后，搭建了一台800 W的样机，实验结果验证了该方法的有效

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：539648
    • 提供者：weixin_38506852

  1. 电源技术中的多颗MOS管的并联应用研究

  2. 1.MOS管并联的可行性分析 　　由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 　　2.MOS管的并联电路 　　理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：109568
    • 提供者：weixin_38614952

  1. 电源技术中的分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响

  2. mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 　　功率MOS管的导通电阻具有正温度系数，能够自动均流，因此可以并联工作。从MOSFET数据表的传输特性可以看到，25℃和175℃的VGS电压与ID电流值有一

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：227328
    • 提供者：weixin_38546308

  1. 电源技术中的基于C8051F340的开关电源模块并联供电系统设计

  2. 摘要：本系统以C8051F340单片机为控制核心，通过对输出电压和电流采样计算，改变单片机PWM占空比输出，控制MOS管的通断，实现了两个额定输出功率均为16W的8V DC/DC模块并联供电。经测试，该供电系统供电效率为70.57%;调整负载电阻，两个模块的输出电流I1、I2之和为4 A范围内实现I1、I2按1:1和1:2模式自动分配电流，其相对误差绝对值不大于2%;具有负载短路保护功能，保护阈值电流为4.5A. 　　近一些年来，随着微电子技术和工艺、磁性材料科学以及烧结加工工艺与其它边沿技术

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：355328
    • 提供者：weixin_38546608

  1. 基于C8051F340的开关电源模块并联供电系统设计

  2. 本系统以C8051F340单片机为控制核心，通过对输出电压和电流采样计算，改变单片机PWM占空比输出，控制MOS管的通断，实现了两个额定输出功率均为16W的8VDC／DC模块并联供电。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：338944
    • 提供者：weixin_38596485

  1. 基于C8051F340的开关电源模块并联供电系统设计

  2. 本系统以C8051F340单片机为控制核心，通过对输出电压和电流采样计算，改变单片机PWM占空比输出，控制MOS管的通断，实现了两个额定输出功率均为16 W的8 V DC/DC 模块并联供电。经测试，该供电系统供电效率为70.57%；调整负载电阻，两个模块的输出电流I1、I2之和为4 A范围内实现I1、I2按1:1和1:2模式自动分配电流，其相对误差绝对值不大于2%；具有负载短路保护功能，保护阈值电流为4.5 A。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-31
    • 文件大小：610304
    • 提供者：weixin_38593738

  1. MOS管的基本参数

  2. MOS管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。 　　上图四项指标，项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。定义如下图： 　　在高速H桥应用中，MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr，也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要，否则容易炸机，下图为高速二极管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38733875

  1. 如何有效保护锂电池板，一款优质的MOS管就能解决

  2. 锂电池几乎应用于我们日常接触到的各类电器之中，但如何保护锂电池，你又是否知道呢？其实在锂电池保护板，主要的元器件是IC与MOS。MOS对锂电池板的保护作用非常大，它可以检测过充电，检测过放电，检测充电时过电电流，检测放电时过电电流，检测短路时过电电流。 　　所以MOS管的质量如何关系到锂电池板的“生死”。而MOS在锂电池保护板上使用2pcs作为充放电保护，而在实际的工作中，根据不同的应用，会使用多个功率MOS管并联工作，以减小导通电阻，增强散热性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：390144
    • 提供者：weixin_38691482

  1. 多颗MOS管的并联应用研究

  2. 1.MOS管并联的可行性分析 　　由下面的某颗MOS管的温度曲线可以看出MOS管的内阻的温度特性是随温度的升高内阻也增大，如果在并联过程中由于某种原因（比如RDSON比较低，电流路径比较短等）导致某颗MOS管的电流比较大，这颗MOS管会发热比较严重，内阻会升高比较多，电流就会降下来，由此可以分析出MOS管有自动均流的特性而易于并联。 　　2.MOS管的并联电路 　　理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38628647
« 12 3 »