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  1. 步进电机驱动芯片THB7128资料大全

  2. THB7128 高细分、大功率 两相混合式步进电机驱动芯片 特性： ● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.53Ω ● 最高耐压40VDC，大电流3.3 A（峰值） ● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） ● 自动半流锁定功能 ● 内置混合式衰减模式 ● 内置输入下拉电阻 ● 内置温度保护及过流保护

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-03-29
    • 文件大小：678912
    • 提供者：jek0027

  1. THB7128芯片细分驱动

  2. ● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.53Ω ● 最高耐压40VDC，大电流3.3 A（峰值） ● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） ● 自动半流锁定功能 ● 内置混合式衰减模式 ● 内置输入下拉电阻 ● 内置温度保护及过流保护

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-09-01
    • 文件大小：352256
    • 提供者：xw13668

  1. MOSFET驱动注意事项

  2. 在低电压（100V以下）驱动应用中，多使用MOSFET作为功率转换器件。随着电压的提高，MOSFET的优势也随着不明显，所以在高压的应用场合，多使用IGBT作为功能器件，该类器件的耐压可以做得较高，结合了FET和三极管的优点，它的导通电阻和开关速度不比MOSFET，所以器件本身的导通损耗和开关损耗都比较大，一般需要另加散热装置

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-10-14
    • 文件大小：165888
    • 提供者：guosheng5977

  1. THB7128 高细分、大功率两相混合式步进电机驱动芯片

  2. THB7128 高细分、大功率两相混合式步进电机驱动芯片 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.53Ω 最高耐压40VDC，大电流3.3 A（峰值） 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） 自动半流锁定功能 内置混合式衰减模式 内置输入下拉电阻 内置温度保护及过流保护

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-07-21
    • 文件大小：539648
    • 提供者：mingmingwangqaz

  1. MOSFET驱动电阻选择

  2. MOS管的驱动电阻的计算方法，有利于尽快确定电阻的大概范围，节省时间

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-08-27
    • 文件大小：80896
    • 提供者：liyouquan_0129

  1. 步进电机驱动芯片THB7128芯片用户手册

  2. THB7128 高细分、大功率 两相混合式步进电机驱动芯片 一、 特性： ● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.53Ω ● 最高耐压40VDC，大电流3.3 A（峰值） ● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128） ● 自动半流锁定功能 ● 内置混合式衰减模式 ● 内置输入下拉电阻 ● 内置温度保护及过流保护

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-07-10
    • 文件大小：352256
    • 提供者：qb9787

  1. MOSFET及MOSFET驱动电路总结

  2. MOSFET及MOSFET驱动电路总结，在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-08-13
    • 文件大小：136192
    • 提供者：wangjuanjk

  1. THB6016H步进驱动资料电路

  2. THB6016H 步进驱动 驱动器设计双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.6Ω（上桥+下桥）

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-10-17
    • 文件大小：616448
    • 提供者：u012485094

  1. 双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器设计

  2. 本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计，见附件下载其原理图和测试代码等。该THB8128步进电机驱动器支持双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.4Ω(上桥+下桥)。高耐压42V，大电流4.3A(峰值，实际应用中不超过40V,4A)。具有电源指示、控制输出指示LED灯。双全桥MOSFET驱动THB8128步进电机驱动器实物截图：

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-12-10
    • 文件大小：26214400
    • 提供者：tipyaapy

  1. MOSFET驱动电阻的选择.pdf

  2. MOSFET驱动电阻的选择

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38743481

  1. MOS管驱动电路总结.rar

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最 大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不 是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原 创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2020-04-01
    • 文件大小：537600
    • 提供者：Leo_LEE88

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. 关于开关电源中MOSFET驱动电阻的选择和参数设计，其中有电压电流波形、IC 的 的PWM 输出 、不同PCB走线对MOS驱动的影响。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-01-12
    • 文件大小：564224
    • 提供者：hxt217

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V 计算式 这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：196608
    • 提供者：weixin_38669091

  1. 关于MOSFET驱动电阻的选择

  2. L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：235520
    • 提供者：weixin_38653040

  1. MOSFET及MOSFET驱动电路总结

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。本文对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：221184
    • 提供者：weixin_38739164

  1. 功率MOSFET驱动技术详解

  2. 功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点，因而非常适合用作开关电源(switch-modepowersupplies，SMPS)的整流组件，不过，在选用MOSFET时有一些注意事项。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：166912
    • 提供者：weixin_38656662

  1. 模拟技术中的MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：174080
    • 提供者：weixin_38747233

  1. 基础电子中的基于MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 　　1、MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：154624
    • 提供者：weixin_38501363

  1. 单片机与DSP中的Intersil的PWM控制器ISL6545和ISL6545A集成了MOSFET驱动

  2. Intersil公司最新推出ISL6545和ISL6545A单输出PWM(脉宽调制)控制器。这些器件集成了防护二极管和电流感应的功能，从而减少了所需的外部元件数量。 　　ISL6545和ISL6545A通过将防护二极管、过流保护和MOSFET驱动集成到一个单片机中来实现更低的BOM成本。过流保护功能通过使用更低的MOSFET的导通电阻rDS(ON)，监控电流来保护控制器，避免产生短路输出，从而增强了控制器的效率，同时又通过除去电流感应电阻器来降低成本。 　　Intersil台式电脑电源产品部销售

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38706197

  1. MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用

  2. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38558246
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