利用反应离子束溅射、反应磁控溅射和电子束蒸发在K9基底上沉积ZrO2薄膜,并用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行测量。通过数值相关运算,对不同工艺条件下薄膜生长界面进行定量描述,得到了薄膜表面的粗糙度指数、横向相关长度、标准偏差粗糙度等参量。由于沉积条件的不同,薄膜生长具有不同的动力学过程。在反应离子束溅射和反应磁控溅射沉积薄膜过程中,薄膜生长动力学行为均可用Kuramoto Sivashinsky方程来描述,电子束蒸发制备薄膜的过程可以用Mullins扩散模型来描述,并发现在沉积薄膜过程中基底温度