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  1. n型势垒掺杂对InGaN发光二极管稳态和动态性能的影响

  2. 对n掺杂和非掺杂InGaN LED的稳态和动态特性进行了比较研究。 仿真结果表明，n型掺杂的LED具有优异的发光和调制性能，这主要归因于n型掺杂的LED具有较高的载流子辐射率。 结果可以很好地解释所报告的实验结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：417792
    • 提供者：weixin_38729336