采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法的DMol3软件，对ZnO纳米线表面在非H钝化和H钝化两种情况，及N原子掺入位置不同的情况进行了理论计算，并系统地分析了其结构参数、掺杂形成能及电子结构。研究结果表明，这两种表面的情况下，ZnO纳米线在生长方向［ 0 0 0 1 ］面的晶格参数发生了较大变化，同时，H的钝化使Zn-O键键长增加，并导致掺杂时N原子更加容易在表面富集。此外，在这两种表面的情况下，掺杂的N原子越靠近表面，其固溶度越高，导电性越强，越容易形成良好的p型ZnO纳米线。