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对半导体pn结接触电势的一个讨论
讨论了半导体pn结内建电场和接触电势的形成与可测性,回答了在半导体物理学 pn 结内容教学中学 生经常会提出的一个似是而非的问题.从热力学第一定律、金属 - 半导体接触等不同角度详细解释了热平衡 零偏 下时pn结不可能对外输出电压和电流的原因
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-07-17
文件大小:201728
提供者:
yuzhijun2000
PN结正向电压与温度关系的研究与应用
物理实验,PN结正向电压与温度关系的研究与应用资料
所属分类:
专业指导
发布日期:2009-12-08
文件大小:679936
提供者:
nyszxlzy
PN结的形成过程,很好的
PN结的形成过程.rar 还不错哦 值得推荐
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-07-15
文件大小:237568
提供者:
hndcjiang
pn结温度传感器测温度
利用pn结的温度特性测温度(pn结正向偏置时,温度越高,等效电阻越小)2采用差分放大电路对pn结上的小信号放大测量
所属分类:
电信
发布日期:2011-07-25
文件大小:129024
提供者:
haiyangshishui
PN结的形成及特性解析.pdf
《PN结的形成及特性解析.pdf》很全面,很详实,很好的PN结资料,非常好的资料,希望对你的工作学习有所帮助。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2020-04-23
文件大小:9437184
提供者:
lucjn
电荷群作用产生无偏二极管的PN结
电荷群作用产生无偏二极管的PN结,吴翔,,徐业林制得一种特殊结构二极管,称其为“无偏二极管”。从表面上看,该管结构中只有一种半导体物质,没有通常意义的P型、N型或同�
所属分类:
其它
发布日期:2020-03-13
文件大小:197632
提供者:
weixin_38525735
GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析
GaAs衬底-纳米线型pn结电学特性的理论分析,陈文丽,李军帅,本文从理论上研究了GaAs衬底-纳米线型pn结的电学特性。结果显示,GaAs衬底-纳米线型pn结表现出明显的二极管特性,与已有的实验数据相�
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-27
文件大小:694272
提供者:
weixin_38625164
微电子学概论学习PN结
关于PN结的介绍,具体工作原理及其结构等一系列特性。
所属分类:
讲义
发布日期:2015-06-19
文件大小:2097152
提供者:
qq_29150037
第六章PN结
PN结,具体的请看文档,里面有一些介绍,电子阅览均可
所属分类:
专业指导
发布日期:2012-10-14
文件大小:5120
提供者:
a1344788664
温度传感器(热电偶、热电阻、PN结)实验讲义
熟悉一些温度传感器测温的原理,其中包括热电偶的原理及现象、热电阻、PN结的原理及现象。
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-06-29
文件大小:203776
提供者:
dyn2010
关于pn结反向偏置电流小的个人理解
pn结是p(加了三价元素),n(加了五价元素),当结合成pn结时,因为p,n之间的粒子浓度不同,下面一起来学习一下
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-17
文件大小:29696
提供者:
weixin_38622849
pn结的形成原理
P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子。如下图: pn结的形成 当P型半导体和N型半导体接合在一起的时候,由于P型半导体中空穴浓度高,而N型半导
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:189440
提供者:
weixin_38656462
PN结工作原理相关知识
pn结 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。 在形成PN结之后,由于N型半导体区内的电子
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:189440
提供者:
weixin_38704284
PN结电容与电压的关系
增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配,形成耗尽区或耗尽层(图1中的W)。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:226304
提供者:
weixin_38728624
PN结为什么可以单向导电?PN结单向导电原理
二极管是电子电路中很常用的元器件,非常常见,二极管具有正向导通,反向截止的特性。 在二极管的正向端(正极)加正电压,负向端(负极)加负电压,二极管导通,有电流流过二极管。在二极管的正向端(正极)加负电压,负向端(负极)加正电压,二极管截止,没有电流流过二极管。这就是所说的二极管的单向导通特性。下面解释为什么二极管会单向导通。 二极管为什么只能单向导电? 二极管是由PN结组成的,即P型半导体和N型半导体,因此PN结的特性导致了二极管的单向导电特性。PN结如下图所示: 在P型和N型半导体
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:306176
提供者:
weixin_38499349
简析PN结的构成的相关知识
把一块半导体硅片或锗片,通过一定的工艺方法.一边做成P型半导体,另一边做成N型半导体,在两者交界处就会形成一个薄层,这个薄层就是PN 结.如图14-2 (a) 所示。这个PN 结有一个很特别的性能,就是有单方向导电的能力。 如果将P 型半导体部分连接至电源的正电极,N 型半导体部分连接电源的负电极,这种连接称为正向连接,在电子技术中叫做正向偏置在正向偏置的条件下, N 区电压较P 区为负,它将吸引P 区的多数载流子(空穴),使之穿过PN 结流向N 区; P 区电压较N 区电压为正,也将吸引
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-12
文件大小:50176
提供者:
weixin_38665804
PN结的秘密 二极管温度补偿讲解与思路指导
本篇文章对二极管中PN结的温度特性进行了解释,并且基于这种特性,对二极管温度补偿电路进行了分析。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-14
文件大小:101376
提供者:
weixin_38686924
模拟电路中PN结原理
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多元件,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-21
文件大小:89088
提供者:
weixin_38665122
PN结
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-27
文件大小:94208
提供者:
weixin_38663526
半导体pn结
半导体pn结
所属分类:
讲义
发布日期:2016-07-06
文件大小:13631488
提供者:
sinat_28378863
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