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搜索资源列表

  1. Sentaurus V_2007.03详细安装方法

  2. Sentaurus V_2007.03详细安装方法 经过一个星期的不断摸索和求助，终于成功安装上sentaurus，在此将详细安装过程 制成文档共享给大家，以方便以后像我这样初次安装的人。 安装环境：CENTOS5.2 64位 需准备文件： 1，Sentaurus V_2007.03安装文件（以前在51EDA下的，现在能不能下到不清楚，不 过TLF FTP有32位的A_2007.12版本，有什么区别不太清楚。） 2，SCL10.9.1d（TLF FTP有） 3，INSTALL2.0（TLF F

  3. 所属分类：FTP

    • 发布日期：2010-11-21
    • 文件大小：636928
    • 提供者：wsrmm

  1. sentaurus中文教程

  2. Sentaurus TCAD是非常重要的器件仿真工具，这个文档详细介绍了sentaurus的使用方法，是入门级的中文教程。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2015-06-10
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：qq_28922403

  1. Sentaurus TCAD 中文教程

  2. Sentaurus TCAD 中文教程

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-06-24
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：u012297790

  1. sentaurus swb

  2. 非常详尽，能够整合学习sentaurus 的部分信息，方便大家学习该软件

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2015-11-25
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：baidu_25413253

  1. sentaurus tcad浙大

  2. 半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-01-03
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：qq_41581397

  1. TCAD功率半导体器件仿真

  2. 包含了sentaurus仿真中关于器件结构和器件仿真的基本讲解，适用于初步学习功率半导体仿真

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-12-22
    • 文件大小：14680064
    • 提供者：weixin_44215694

  1. SENTAURUS直播资料

  2. 知乎上找的sentaurus入门视频，很详细很有用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2019-03-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：annieandw

  1. Sentaurus中文教程

  2. sentaurus中文教程，帮助初学者学习sentaurus,里面含有sprocess、sdevice、SDE等

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-05-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_42060512

  1. 第1章 半导体工艺及器件仿真工具Sentaurus TCAD.ppt

  2. 本资源主要讲了TCAD仿真软件的安装及使用教程，对半导体工艺模型和具体器件进行模拟仿真

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-05-28
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：dkfsaw

  1. Gallium nitride simulations using Sentaurus software.pdf

  2. 行业领先公司研究的功率放大器工艺仿真介绍，适合初学者学习研究。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2019-08-08
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：wuliaokc

  1. 130nm体硅SRAM和SOI SRAM器件单粒子翻转3D模拟与分析

  2. 130nm体硅SRAM和SOI SRAM器件单粒子翻转3D模拟与分析，李永宏，赵耀林，用半导体数值模拟软件Sentaurus TCAD构建了特征尺寸为130nm的体硅SRAM（Static Radom Access Memory）器件和SOI SRAM（Silicon On Insulator SRAM）器件的3D模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：534528
    • 提供者：weixin_38734492

  1. sprocess_ug.pdf

  2. Swb maunual ， TCAD 仿真软件应用手册， sentaurus, sprocessContents About This Guide XXX Audi XXXII Related Publications .,....,.XXX1 Typographic Conventions ....,,,,,..,.......XXX11 Customer Support..... Accessing SolvNet XXXII Contacting Synopsys Support Cont

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2019-10-06
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：simpleface

  1. 各种语句sentaurus.docx

  2. 该文件包括各种sentaurus仿真sdevice文件，可用于计算I-V,C-V曲线，辐照损伤及重粒子入射，瞬态仿真。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2020-06-02
    • 文件大小：16384
    • 提供者：qtwggsu

  1. 基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

  2. 绝缘体上硅以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文用Sentaurus TCAD软件中的SDE工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构，且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件的阈值电压和饱和电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：205824
    • 提供者：weixin_38694674

  1. 元器件应用中的基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

  2. 摘要：绝缘体上硅（Silicon On Insulator,简称SOI）以其独特的材料结构有效克服了体硅材料的不足，使其在能够成功应用于辐照恶劣环境中。本文使用Sentaurus TCAD软件中的SDE（Sentaurus Structure Editor）工具设计一个0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件结构，并且运用Sentaurus TCAD软件中的Sentaurus Device工具进行器件特性仿真，使用INSPECT和TECPLOT_SV工具查看仿真结果并得到设计的器件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：211968
    • 提供者：weixin_38747946

  1. 不同频率高功率微波对高电子迁移率晶体管的损伤效应

  2. 针对典型的GaAs 高电子迁移率晶体管（HEMT），研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型，考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应，通过分析器件内部电场强度，电流密度，温度分布随信号作用时间的变化来探索其损伤过程及机理，获得了其在不同频率高功率微波作用下的烧毁时间，烧毁位置处的电场强度，电流密度以及温度的变化。研究结果表明，随着注入HPM频率的增大，烧毁时间不断减小， 烧毁部位在栅极下方靠源侧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：975872
    • 提供者：weixin_38713167