注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. NIIT sn4-tm2考试截图

  2. NIIT sn4-tm2考试截图 真题 2006年

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-14
    • 文件大小：417792
    • 提供者：hagxz

  1. niit SN4 MT1真题

  2. niit SN4 MT1真题一套,其中答案仅供参考

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2009-08-14
    • 文件大小：1039360
    • 提供者：hagxz

  1. SN4 MT1 SN4 MT2

  2. NIIT在线考试截图试题 满分试题 包你90分

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-03
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：lose4444

  1. NIIT SN4 iSAS

  2. NII sn4的ISAS.

  3. 所属分类：C/C++

    • 发布日期：2008-04-04
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：leooyin

  1. sn4-tm2考试截图

  2. sn4-tm2考试截图，sn4-tm2考试截图，sn4-tm2考试截图，sn4-tm2考试截图，sn4-tm2考试截图，sn4-tm2考试截图，

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-04-27
    • 文件大小：417792
    • 提供者：jenery

  1. NIIT SN4模拟试题

  2. SN4试题，这里有SN4的三套试题，其中虽然有重复的，但还是很有帮助的。我用过的。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-12-28
    • 文件大小：342016
    • 提供者：passenroll1

  1. SM4_2_真题---93分

  2. 93分的SM4的真题..2009年1月5日

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-01-05
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：pylcc

  1. ZnSnO3/GO复合材料的制备及其气敏性能研究

  2. ZnSnO3/GO复合材料的制备及其气敏性能研究，田名刚，贾晓华，本文采用水热合成方法，在Zn2+，Sn4+和氧化石墨烯存在的条件下，成功地合成了ZnSnO3/氧化石墨烯复合材料。采用X射线衍射（XRD），扫描�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38739919

  1. 掺杂Nb2O5的Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3陶瓷系统介电性能的研究

  2. 掺杂Nb2O5的Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3陶瓷系统介电性能的研究，金莉莉，曲远方，本实验采用单因素变量法分别研究了Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3系统电容器陶瓷中Sn4+含量变化以及掺杂稀土氧化物Nb5+对材料介电性能的影响，得到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：634880
    • 提供者：weixin_38663169

  1. 水热法制备Sn4+掺杂二氧化钛纳米材料及其光催化性能的探讨

  2. 水热法制备Sn4+掺杂二氧化钛纳米材料及其光催化性能的探讨，徐明磊，强颖怀，本文分别采用硫酸钛和钛酸四正丁酯为前驱物用两种方法合成了Sn4+掺杂的TiO2纳米材料，并利用射线衍射和透射电子显微镜对两种方法制�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：346112
    • 提供者：weixin_38587509

  1. Y（Mg 1/2 Sn 1/2）O 3陶瓷的声子特性，晶体结构和本征特性

  2. 在此，使用常规的固态React方法合成了Y（Mg1 / 2Sn1 / 2）O3（YMS）陶瓷。 通过X射线衍射（XRD）研究了YMS的晶体结构。 通过拉曼散射光谱和傅立叶变换远红外（FTIR）反射光谱获得了晶格振动模式，以研究其声子特性。 具有单斜晶系P21 / n对称性的YMS主相已通过XRD认证。 配有洛伦兹函数的拉曼有源模式可分为三部分：与A位置Y阳离子有关的振动，B位置（1 [稀薄空间（1 / 6-em）]：[稀薄空间（1 / 6-em） em）] 1的Mg2 + [稀空间（1 / 6-

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：610304
    • 提供者：weixin_38748556

  1. SnO

  2. 采用草酸盐共沉淀法制备出具有三斜结构的共掺杂固体电解质Ta1-x-yTixSnyO2.5-δ(x=0.077,y=0~0.053)材料。利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜、差热分析、阻抗分析等方法对该固体电解质进行了热性能和电性能分析,研究发现经Sn4+和Ti4+共掺杂之后,将氧化钽基电解质的高温三斜相稳定到了室温,在其结构中因掺杂产生更多氧空位从而提高了氧化钽基电解质的电导率。在973 K条件下,固体电解质Ta0.89Ti0.077Sn0.033O2.5-δ的离子电导率为0.76×10-1 S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38609765

  1. 热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响

  2. 应用电子束蒸镀氧化铟锡(ITO)薄膜, 在氮气环境中对ITO膜进行不同温度下快速热退火(RTA)处理。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术、扫描电子显微镜(SEM)、可见光分光谱仪、四探针测试仪测试了快速热退火处理对电子束蒸镀制备ITO薄膜的晶向、微结构、组分、光电特性的影响。分析结果表明, 退火温度升高, 有利于Sn释放5s轨道上的电子, Sn4+取代In3+形成新的化学键。此外, 退火温度升高还提升了Sn、In原子的结合能, 改变了Sn、In的氧化程度, 增加了ITO薄

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：7340032
    • 提供者：weixin_38622849