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单片机应用技术选编(7)
内容简介 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇,其中全文编入的有113篇,摘要编入的397篇。全书共分八章,即单片机综合 应用技术;智能仪表与测试技术;网络、通信与数据传输;可靠性与抗干扰技术;控制系统 与功率接口技术;电源技术;实用设计;文章摘要。 本书具有重要实用价值,书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动,提高单片机应用技术水平,是从事单片机应用 开发技
所属分类:
硬件开发
发布日期:2010-05-19
文件大小:13631488
提供者:
zgraeae
欧姆龙RFID系统v600_ds_c_1_1.pdf
欧姆龙RFID系统v600_ds_c_1_1pdf,通用系列短距离 v600系列 种类 可编程 空制器数据载体 种类 形状 尺寸 内存容量 型号 外围工具 方形小型 V600-D8KR12 65×40X15mm 现场网 方形薄型 电氾内置 V600-D8KR13 络设备 86×54×10.3mm 8K字节 大容量 方形屮距离 V600-D8KR 省布线 86×54×20mm 省工时设备 无电池 方形屮距离 V600-D8K F04 NEW 86×54×20mm 小型电池更换 无线设备 电氾更换
所属分类:
其它
发布日期:2019-10-20
文件大小:4194304
提供者:
weixin_38743737
STM32F103与MM32F103使用心得-MM32F103.pdf
STM32F103与MM32F103使用心得-MM32F103.pdf5.1.5引脚输入电压 516供电方案 33 5.1.7电流消耗测量 52绝对最大额定值 53工作条件.... 35 5.3.1通用工作条件 35 532上电和掉电时的工作条件 .36 5.3.3内嵌复位和电源控制模块特性 36 534内置的参照电压 .37 535供电电流特性 37 5.3.6外部时钟源特性... 5.37内部时钟源特性 538PLL特性 .45 5、39存储器特性 45 5.3.10EMC特性 46 531
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-03
文件大小:3145728
提供者:
weixin_38744207
STM32F105XX中文数据手册
STM32F105XX中文数据手册,详细的介绍STM32F105XX系列单片机。数据手册 典型曲线 负载电容 引脚输入电压 供电方案 电流消耗测量 绝对最大额定值 工作条件 通用工作条件 上电和掉电时的工作条件 内嵌复位和电源控制模块特性 内置的参照电压 供电电流特性 外部时钟源特性 内部吋钟源特性 和的特性 存储器特性 特性 绝对最大值电气敏感性 口注入电流特性 端口特性 引脚特性 定时器特性 通信接口 位特性 电气特性 温度传感器特性 封装特性 封装机械数据 热特性 参考文档 选择产品的温度
所属分类:
嵌入式
发布日期:2019-03-01
文件大小:4194304
提供者:
qq_39870415
vsdsram_sky130-源码
使用OpenRAM和SKY130 PDK设计1024x32 SRAM(32Kbits) 该存储库旨在使用Google SkyWater SKY130 PDK和OpenRAM内存编译器设计具有1.8 V工作电压且访问时间小于2.5ns的1024x32 SRAM单元阵列(32Kbit或4KB)。 目录 SRAM单元设计简介 如今,静态随机存取存储器(SRAM)已成为任何专用集成电路(ASIC),片上系统(SoC)或其他微体系结构的标准元素。 对于各种各样的应用,使用字长,位线,工作电压,访问时间,
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-26
文件大小:15728640
提供者:
weixin_42165583
SRAM_SKY130:使用OpenRAM和SKY130 PDK设计1024x32 SRAM(32Kbits),工作电压为1.8V,访问时间<2.5ns-源码
使用OpenRAM和SKY130 PDK设计1024x32 SRAM(32Kbits) 该存储库旨在使用Google SkyWater SKY130 PDK和OpenRAM存储器编译器设计具有1.8 V工作电压且访问时间小于2.5ns的1024x32 SRAM单元阵列(32Kbits或4KB)。 目录 SRAM单元设计简介 如今,静态随机存取存储器(SRAM)已成为任何专用集成电路(ASIC),片上系统(SoC)或其他微体系结构的标准元素。 对于各种各样的应用,可以使用诸如字长,位线,工作电压
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-16
文件大小:4194304
提供者:
weixin_42127754
sram单元-源码
S-RAM单元 该板包含一个S-RAM单元,该单元由两个相互馈入的CMOS反相器实现。 原理图 执照 这项工作是根据。
所属分类:
其它
发布日期:2021-02-14
文件大小:1048576
提供者:
weixin_42157556