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tanβ→∞的TeV级SUSY质量的大μ子(g − 2)
在MSSM中针对tanβ→∞研究了μ子的μ子磁矩异常。 与具有通常的有限tanβ的MSSM相比,这是一个辐射质子质量生成的有吸引力的示例,它具有完全不同的定性参数依赖性。 只有在存在质量分裂的情况下,才能解释实验值和标准模型值之间观察到的正差,从而使bino贡献高于wino贡献。 两种最有前途的案例的特征是希格西诺质量大,或左手猛子质量大。 详细研究了所需的质量分裂和所得的μSUSY。 结果表明,即使在所有SUSY质量都在TeV尺度上的情况下,也可以解释μ中的电流差异。 本文还提供了有用的分析公
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其它
发布日期:2020-04-30
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38625098