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搜索资源列表

  1. PS21564，21865

  2. 1.3.2 产品特点 ① 3相AC变频输出电路搭载三菱第5代平面型IGBT 和CSTBT（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor： 具有载流子蓄积层的沟槽型门极构造双极晶体管）功率芯片，实现更低损耗。 5A～30A品搭载平面型IGBT，50A品搭载CSTBT 功率芯片。 ② 采用自举电路结构，可实现单电源驱动。(需要自举电容，二极管等外部附加部品) ④ 内置有IGBT 驱动电路，过载保护，控制电源欠压保护功能。 P侧：UV（控制电源欠压保护）

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-04-06
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：gaoting2318

  1. Mosfet inside

  2. 近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本 文对该方面的新发展进行了论述。本文上篇着重于降低通态电阻Rds（on）方面的技术发展， 下篇着重于降低优值FOM 方面的技术发展。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2011-04-16
    • 文件大小：477184
    • 提供者：simonlin2003

  1. C语言算法速查手册 完整源代码

  2. <> 配书源代码 C语言算法速查手册 目录 第1章　绪论　1 1.1　程序设计语言概述　1 1.1.1　机器语言　1 1.1.2　汇编语言　2 1.1.3　高级语言　2 1.1.4　C语言　3 1.2　C语言的优点和缺点　4 1.2.1　C语言的优点　4 1.2.2　C语言的缺点　6 1.3　算法概述　7 1.3.1　算法的基本特征　7 1.3.2　算法的复杂度　8 1.3.3　算法的准确性　10 1.3.4　算法的稳定性　14 第2章　复数运算　18 2.1　复数的四则运算　18

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2011-07-25
    • 文件大小：223232
    • 提供者：fosly

  1. Introduction to Real Analysis

  2. Introduction to Real Analysis by William F. Trench

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-12-26
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：csfreebooks

  1. Clocking in Modern VLSI Systems

  2. 1 Introduction and Overview Thucydides Xanthopoulos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1.1 The Clock Design Problem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-31
    • 文件大小：12582912
    • 提供者：kermitshen

  1. c语言算法速查手册，实用c语言例程

  2. C语言算法速查手册 目录 第1章　绪论　1 1.1　程序设计语言概述　1 1.1.1　机器语言　1 1.1.2　汇编语言　2 1.1.3　高级语言　2 1.1.4　C语言　3 1.2　C语言的优点和缺点　4 1.2.1　C语言的优点　4 1.2.2　C语言的缺点　6 1.3　算法概述　7 1.3.1　算法的基本特征　7 1.3.2　算法的复杂度　8 1.3.3　算法的准确性　10 1.3.4　算法的稳定性　14 第2章　复数运算　18 2.1　复数的四则运算　18 2.1.1　[算法1]　复数

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2012-06-01
    • 文件大小：223232
    • 提供者：wodecdn

  1. 1200V-Trench-IGBT_Study_with_Square_Short_Circuit_SOA

  2. 1200V IGBT SC特性研究（三种短路失效模式）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-12-23
    • 文件大小：600064
    • 提供者：shandyer

  1. Trench IGBT的虚拟制造

  2. Trench IGBT的虚拟制造,仿真设计，后利用仿真来指导实际生产。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-04-29
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：u010174534

  1. Trench-assisted fiber

  2. A paper described the new technology using the trench-assisted fiber to reduce the crosstalk

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2014-05-08
    • 文件大小：604160
    • 提供者：yu_ca

  1. 元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于150至

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38614484

  1. Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器

  2. Vishay在提供同步整流解决方案的低成本替代产品进程中宣布推出首款200V、30A双高压TMBS Trench肖特基整流器。V30200C具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。当工作电压转向100V及更高时，平面肖特基整流器的高转换速度及低正向压降优势往往会大大折扣。但已获专利的TMBS结构可消除到漂移区的少数载流子注入，从而最大程度地减少存储的电荷，以及提高转换速度。     凭借在 15A及 +125℃时一般为 0.648V 的极低 VF以及出色的转换性能，V30200C 可降低功耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-25
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38712908

  1. 元器件应用中的安森美低压Trench MOSFET导通电阻低至150mΩ 2005

  2. 安森美半导体(ON Semiconductor)推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。 　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38741891

  1. 电源技术中的飞兆发布全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

  2. 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop(场截止)结构和抗雪崩的Trench gate(沟道栅)技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比，FGA20N120FTD可减小25% 的导通损耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：50176
    • 提供者：weixin_38537777

  1. 电源技术中的Vishay Trench MOS肖特基势垒整流器

  2. Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS:trade_mark: 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管，或可替代同步整流解决方案，它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。 VTS40100CT 是市场上第一款此类器件，其采用 TO-220AB 封装，额定电流为 40A (2 x 20A)，额定电压为 100V，该器件专门针对 10

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38750721

  1. Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance

  2. Integratable trench MOSFET with ultra-low specific on-resistance

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-21
    • 文件大小：610304
    • 提供者：weixin_38746442

  1. trenchboi：himoresore的Trench Boi V1-源码

  2. trenchboi：himoresore的Trench Boi V1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：1024
    • 提供者：weixin_42112894

  1. A novel SOI trench LDMOS with vertical double-RESRUF layer

  2. A novel SOI trench LDMOS with vertical double-RESRUF layer

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：378880
    • 提供者：weixin_38705873

  1. An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars

  2. An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38653664

  1. A novel low turnoff loss carrier stored SOI LIGBT with trench gate barrier

  2. A novel low turnoff loss carrier stored SOI LIGBT with trench gate barrier

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：929792
    • 提供者：weixin_38663544

  1. django-trench：django-trench提供了一组REST API端点，以通过多因素身份验证（MFA，2FA）补充django-rest-framework。 它支持标准的内置身份验证方法以及JWT（JSON Web令牌）-源

  2. django-trench：django-trench提供了一组REST API端点，以通过多因素身份验证（MFA，2FA）补充django-rest-framework。 它支持标准的内置身份验证方法以及JWT（JSON Web令牌）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-04
    • 文件大小：182272
    • 提供者：weixin_42112658
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