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双金属栅鳍场效应晶体管的线边缘粗糙度引起的可变性退化
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文件大小: 359kb
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上传时间: 2021-03-15
详细说明：我们首次使用计算机辅助设计仿真，研究了线边缘粗糙度（LER）引起的双金属栅极（DMG）Fin场效应晶体管（FinFET）的可变性的影响。 高斯自相关函数用于生成LER序列。 根据亚阈值摆幅（SS），阈值电压（VTH）和跨导（gm）的标准偏差，仿真结果表明LER引起的静电完整性变异性与控制栅极与总栅极长度之比有关。 LER引起的可变性相对于源极附近的控制栅的长度而降低。 我们的工作填补了DMG FinFET的LER引起的可变性研究的空白，并建议在整个栅极中，靠近源极的控制栅极的长度应大于或等于靠近栅极的漏极的屏蔽栅极的长度。
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