文件名称:
具有电流重用和Gm增强技术的1V830μW全频段ZigBee接收器前端
开发工具:
文件大小: 388kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-15
详细说明：本文设计了一种低电压低功耗CMOS射频接收前端，该射频前端可以覆盖ZigBee通信协议中的780/868/915 / 2400MHz波长。该射频前端电路将宽带共栅低噪声放大器和I / Q电流开关型混频器合并，掺入谐振电流；同时，射频前端电路的设计过程中仍运用了有源跨导增强技术。此处称为射频前端的电路结构和详细的设计和优化过程。射频前端电路采用180nm RF CMOSCraft.io设计，版图后仿真结果表明射频前端电路在780/868 / 915MHz转换的变频增益为26.5dB，在2400MHz频率的转换增益为19.5dB。 。射频前端电路工作在1V电源电压下，功率为830μW，电路的核心芯片面积为0.0276平方毫米。
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