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脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN 薄膜的膜厚分布特征
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文件大小: 353kb
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上传时间: 2021-03-14
详细说明：【目的】探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN 薄膜时薄膜的厚度分布规律，以便于能够改善薄膜的均匀性。【方法】在实际情况中，靶材和基片并不平行，取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析，研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚。【结果】当靶材与基片的倾斜角为0°时，靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大，以该点为中心，基片两侧膜厚呈对称分布，且越远离基片中心点，膜的厚度越小；当靶材与基片的倾斜角不为0°时，基片左右两侧膜厚不对称分布，靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜厚度，倾斜角越大，两侧膜厚的差异越大，膜厚最大的点不在基片中心处，而是偏向靠近靶材的一端，倾斜角越大，偏离越明显。靶基距增大，所形成的膜厚度均匀性提高，但与靶基距较小时相比，相同时间内沉积的膜厚度要低得多。【结论】PLD 制备InGaN 薄膜过程中，基片各处上的薄膜受倾斜角和靶基距的影响，厚度不均匀，存在一个厚度分布。
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