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使用兼容CMOS的接触材料在独立式GaN晶片上的2.4 kV垂直GaN PN二极管
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文件大小: 1010kb
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上传时间: 2021-03-14
详细说明：本文报道了使用互补金属氧化物半导体兼容接触材料在独立式GaN晶片上的垂直氮化镓（GaN）PN二极管。 已经进行了静态和开关电流-电压测量，以评估制造的垂直GaN PN二极管。 本文中的垂直GaN PN二极管显示的导通电压Von约为3.3-3.4 V，开/关电流比约为2.7 x 10（7），理想因数n约为2.1。 在300 K和500 K的测试温度下，反向恢复时间Trr分别为21.2 ns和23.2 ns。导通状态电阻Ron为3.9 m Omega.cm（2），击穿电压V-BR为2.4 kV，该设备实现的电源设备的品质因数V-BR（2）/ R-on为1.5x 10（9）V-2 Omega（-1）cm（-2）。
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