文件名称:
具有极化P（VDF-TrFE）铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
开发工具:
文件大小: 927kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-14
详细说明：研究了极化的P（VDF-TrFE）铁电聚合物门控对AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）的影响。 通过施加电场，AlGaN / GaN MOS-HEMT的源极/漏极访问区中的P（VDF-TrFE）门被正极化（即，部分带正电的氢与AlGaN表面对准），从而导致降低AlGaN / GaN界面处的导带。 这增加了AlGaN / GaN异质结构的源极/漏极访问区域中的二维电子气（2-DEG）密度，从而减小了源极/漏极串联电阻。 还使用原子力显微镜（AFM），X射线衍射（XRD）和铁电磁滞回线测量对P（VDF-TrFE）铁电膜进行了详细的材料表征。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
