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使用AlGaN电子阻挡层和InAlN电子阻挡层比较GaN基发光二极管
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文件大小: 602kb
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上传时间: 2021-03-10
详细说明：通过使用AlGaN和InAlN数值研究了GaN基发光二极管（LED）的光学特性电子阻挡层（EBL）。 通过发射光谱，载流子浓度分布的模拟， 能带，静电场，内部量子效率和输出功率，结果表明LED 与采用AlGaN EBL的原始LED相比，采用InAlN EBL结构的设计具有更好的性能。 频谱强度和输出功率显着提高，内部量子效率下降InAlN EBL结构的这种设计有效地提高了效率。 事实证明，载体的优势限制和电子泄漏电流在LED的发光性能中起着至关重要的作用。
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