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上传时间: 2021-03-10
详细说明：相变材料（PCM）在数据存储，光交换和可调谐光子设备的应用中具有巨大的潜力。 然而，高速加热整个相变材料提出了关键挑战。 在这里，我们首次模拟了相变材料（Ge2Sb2Te5）在超材料完美吸收体（MMPA）中的掺入，并表明非晶态Ge2Sb2Te5的温度可以从室温升高到> 900K（Ge2Sb2Te5的熔点） ）在短短的几纳秒内就具有150 W / m（2）的低光强度，这归因于吸收器中强等离子体共振增强了光吸收。 我们的结构由一层薄的金（Au）正方形阵列组成，该阵列通过Ge2Sb2Te5层与连续的Au薄膜隔开。 有限元方法光热模型用于研究Ge2Sb2Te5层中温度的时间变化。 还显示出可以通过在Ge 2 Sb 2 Te 5的非晶态和结晶态之间切换来获得具有宽可调光谱的吸收体。 该研究降低了基于热相变的光子器件的功率要求，并为实现超快光热可调光子器件铺平了道路。
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