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调制p掺杂1310 nm InAs / GaAs量子点激光材料和超短腔法布里-珀罗和分布反馈激光二极管的开发
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上传时间: 2021-03-09
详细说明：刻蚀多层InAs / GaAs量子点（QD）激光结构以去除p侧AlGaAs覆层，以研究随温度变化的光致发光（PL）特性。 通过分子束外延（MBE）和生长后退火Craft.io制备了四个QD样品，包括未掺杂的生长QD，p掺杂的生长QD，未掺杂的退火QD和p掺杂的退火QD，以进行比较。 其中，与未掺杂样品相比，调制p掺杂QD样品显示的PL光谱的温度依赖性小得多，并且对混合的不敏感性显着。 这归因于调制p掺杂的影响，它可以抑制空穴在紧密间隔的能级上的热加宽，并显着抑制QD及其周围矩阵之间的In / Ga互扩散。 这些结果为选择高质量QD激光二极管的有源区域和包层提供了更大的自由度。 调制p掺杂QD材料的优越特性已经自然地转移到了激光设备上。 连续波基态（GS）激光已经在p掺杂QD法布里-珀罗（F-P）和横向耦合分布反馈（LC-DFB）窄脊激光器中实现了，它们具有非常短的腔长且没有多面涂层，其中在腔长为400μm的F–P激光器中发现了1315 nm GS激光，而单纵模激光的可调谐范围为140 nm，侧模抑制比为51 dB。 LC-DFB激光器。 这项工作展示了InAs / GaAs QD激光器
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