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磁显微镜观察掺杂钴强相关电子材料的磁畴和相变
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上传时间: 2021-03-08
详细说明：通过脉冲激光沉积研究了ZnO与LaAlO.3（100）衬底上外延生长的LaO 4Gd0 1Sr0 5CoO3（LGSCO）薄膜之间的结磁阻和畴相变。 在Tc127 K以下显示出铁磁转变为相分离（两相）状态，并观察到掺杂的钙钛矿型La0 4Gd0 1Sr0 5CoO3中的晶格不连续变化。 引入Ginzburg-Landau相场来推导LGSCO薄膜中的反铁电畴结构。 基于畴结构，薄膜的相界在很大程度上取决于机电耦合的组合。 在Tc 127–128 K以下，相转变为相分离状态，这表明晶格常数在转变时不连续地变化。 ZnO / LGSCO异质结的正MR表现出约140 K的MIT行为在0.2 T为4.86％，在0.5 T为6.05％时表现出MIT行为。此外，还了解了低温下复杂强相关电子材料中FM有序的起源。
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