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将亚波长偏振片集成到InP-InxGa1-xAs传感器上，以便在短红外波长下进行偏振检测
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文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-03-08
详细说明：在生物科学，通信，海洋探测，农业等领域的广泛应用中，对红外波长的极化检测的需求不断增长。亚波长金属光栅能够将横向磁模式与横向电模式分离以形成偏振光，从而提供了一种偏振光。实现极化检测的有前途的方法。 常规方法是在标准检测器中组装芯片形式的市售偏振器。 本文介绍了基于电子束光刻技术通过纳米制造将亚波长光栅与独立的InP-InxGa1-xAs传感器集成在一起的最新进展。 在制造过程中遇到的技术问题是来自InP-InxGa1-xAs的一次电子强烈向后散射，在抗蚀剂上造成大量额外的曝光，因此标准共聚物/聚甲基丙烯酸甲酯双层不适用。 取而代之的是，施加单层的聚（甲基丙烯酸甲酯），并且通过在光刻法中使用束扩散条件来产生用于剥离Craft.io的必要的底切轮廓。 所制造的具有像素化偏振器的检测器展示了在1320 nm波长，消光比为18：1的均匀偏振检测。 理论上，根据实际的光栅结构，用有限差分时域方法来解释所制造的探测器的比值的减小。最后，讨论了消光比的提高。
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