文件名称:
使用大晶格失配感应应力控制技术在Si衬底上生长的高迁移率AlGaN / GaN异质结构
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-07
详细说明：具有低Al含量的AlGaN层的大晶格失配引起的应力控制技术具有用于生长4英寸高品质GaN层。 硅衬底。 这项技术的使用允许电子迁移率为2040 cm2 /（Vs）的高迁移率AlGaN / GaN异质结构电荷密度为8.41012cm2。 应变松弛和位错演化机制有被调查了。 结果表明，低铝含量之间存在较大的晶格失配AlGaN层和AlN缓冲层可以有效地促进边缘位错的倾斜相对较大的弯曲角度，因此大大降低了GaN中的位错密度外延层。 我们的结果显示出低成本和高性能制造的巨大潜力GaN-on-Si功率器件。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
