文件名称:
晶格匹配的InAlN / GaN异质结构中二维电子气密度的磁滞现象
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文件大小: 931kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-07
详细说明：高迁移率晶格匹配的InAlN / GaN异质结构中的高温传输性质已被调查。 二维电子的一个有趣的磁滞现象在与温度相关的霍尔测量中观察到气体（2DEG）密度。 高温后热循环处理，观察到2DEG密度降低，这是在较薄的InAlN势垒样品中更为严重。 然后可以通过光照恢复该减少。 我们将这些行为归因于能量水平高于费米的浅陷阱态GaN缓冲层中的水平。 温度为2DEG时，电子受到热激发增加，然后被缓冲层中的这些浅陷阱状态所捕获，从而导致减少以及它们的密度的滞后现象。 在GaN缓冲层中观察到三个陷阱态CGa可能是负责观察到行为的候选者之一。 我们的结果提供一种用于InAlN / GaN异质结构质量评估的替代方法高温电子设备。
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