文件名称:
基于门控横向BJT对的新型H +离子传感器
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上传时间: 2021-03-06
详细说明：提出了一种基于栅极横向双极结型晶体管（BJT）对的H +离子传感器，该传感器无需传统的参考电极即可工作。 该器件是一种特殊类型的离子敏感场效应晶体管（ISFET）。 经典的ISFET具有小型化的优点，但是由于笨重且易碎的参比电极材料，很难通过单一制造Craft.io来制造。 此外，在某些情况下，参考电极需要与传感器装置分离。 所提出的器件由两个栅极侧向BJT组件组成，其中一个具有硅化物层，而另一个则不具有硅化物层。 这两个组件在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）-BJT混合模式下工作，该模式可以通过发射极电压和基极电流控制。 使用具有不同pH值的缓冲溶液作为检测目标，以验证所提出设备的特性。 由于它们的敏感性不同，两种成分都可以同时检测H +离子的浓度，并作为彼此的参考。 根据实验结果，发现该设备的灵敏度约为0.175 A / pH。 该实验证明了降低基于ISFET的传感器技术成本的巨大潜力。
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