文件名称:
带有MoS2 / GaAs饱和吸收器的无源调Q开关Nd：YVO4激光器
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文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-06
详细说明：粘附在GaAs晶片上的二硫化钼（MoS2）纳米片被用作Q开关Nd：YVO4激光器中的MoS2 / GaAs饱和吸收剂（SA）。 MoS2 / GaAs SA是通过将几层MoS2转移到350 mm深度的GaAs晶片上的液体剥落法成功制造的。 在1.77 W的吸收泵浦功率下，可以获得321.6 mW的平均输出功率，51.3ns的脉冲持续时间和769.7 kHz的重复频率的脉冲，这揭示了MoS2 / GaAs异质结构在短脉冲持续时间产生中的潜力。 。 在相同的吸收泵浦功率下，脉冲能量和峰值功率分别为417.8 nJ和8.14W。 有望将具有二维纳米材料的异质结构SA和传统的SA用于光调制，以缩短脉冲持续时间。
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