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通过掺杂工程实现具有混合空穴传输层的高性能量子点发光二极管
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上传时间: 2021-03-06
详细说明：在这里，我们报告了杂化空穴传输材料4,4'-双-（咔唑-9-基）联苯（CBP）或掺杂到聚（4-丁基-苯基二苯胺）中的聚N-乙烯基咔唑（PVK）（ Poly-TPD）作为混合空穴传输层（HTL），以调整空穴注入层（HIL）和量子点（QD）发光层之间的能带对准，从而在所有情况下实现高效的量子点发光二极管（QLED）固溶加工的制造。 与原始的基于Poly-TPD的器件相比，发现通过将CBP添加到Poly-TPD中，可将QLED的电致发光（EL）性能显着提高1.5倍，这可归因于较低的最高占据分子轨道Poly-TPD（HOMO）级别，以减少HTL和QD价带（VB）之间的能垒。 因此，在将小分子以最佳比例（Poly-TPD：CBP = 2：1重量比）掺杂到聚合物中之后，可以平衡空穴传输速率，从而促进载流子从HTL注入QD并提高QLED的效率。 结果，基于所采用的混合HTL的各种QLED，可以获得7600cd / m 2，5.41cd / A和4.25lm / W的最大亮度，最大电流效率和最大功率效率。
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