文件名称:
n-ZnO / p-CuI异质结的制备及能带取向
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文件大小: 231kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-05
详细说明：通过在p型γ-CuI（111）上生长未掺杂的n型ZnO薄膜来制造N-ZnO / P-CuI异质结。 使用射频磁控溅射的单晶衬底。 通过使用X射线衍射和扫描电子显微镜，ZnO膜被识别为具有c轴优选取向的柱状结构。 使用X射线光电子能谱仪对ZnO / CuI界面的能带对准进行测量，得出价带偏移为1.74 eV，导带偏移为-1.37 eV，这意味着该界面处的II型能带对准。 电流-电压曲线的典型二极管行为表明，随着进一步的发展，它在光电学中的可能应用。
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