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上传时间: 2021-03-05
详细说明：采用真空蒸镀法制备了以TeOx薄膜为记录层的可录光盘，采用溅射法制备了以Ag-In-Sb-Te-O为记录层的可擦重写光盘,并测试了这两种光盘在波长为514.5 nm的动态存储特性。实验结果表明，可录光盘的载噪比在波长514.5 nm时达到30 dB，波长780 nm时达到41 dB；可擦重写光盘的载噪比在波长514.5nm时达到25 dB，波长780 nm时达到38 dB。对光盘载噪比偏低的可能原因及改进方法进行了讨论。光盘动态存储性能测试证明了这两种薄膜可用作蓝绿光波段高密度光存储介质。
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