文件名称:
基于InP的InAlAs变质缓冲层上的2.7μmInAs量子阱激光器
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文件大小: 818kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-04
详细说明：这项工作报道了基于InP的变质InxAl1-xAs梯度缓冲液上的2.7μmInAs / In0.6Ga0.4As量子阱激光器。 X射线衍射测量显示出在量子阱中良好的应变补偿效果。 I型光致发光发射在77 K时约为2.7μm，在300 K时会红移至3μm。在77 K处，激光的连续波激光发射波长达到2.7μm，这是距该波长最长的波长。 InP基无锑结构的带间发射。 阈值电流密度低至145 A / cm（2），注入电流为400 mA时的连续波输出功率超过5 mW。
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