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各向异性对D带SiC IMPATT二极管性能的影响
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文件大小: 540kb
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上传时间: 2021-03-04
详细说明：进行了数值模拟，以预测射频的性能。 方向和 <112>方向P + / N / N - / N +（单漂移区）4H碳化硅（4H-SiC）的冲击离子化雪崩时差（IMPATT）在d-带二极管操作频率。 我们观察到4H-SiC IMPATT二极管的输出性能对一维电流的晶体方向敏感。 仿真结果表明，方向4H-SiC IMPATT二极管由于其较低的电子和空穴电离速率而提供较大的击穿电压，并且由于其漂移区电压降（V D ）与击穿电压的比率较高而提供更高的DC-rf转换效率（ h ） （V B ）与<112>方向的4H-SiC IMPATT二极管相比，导致与<112>方向相比，方向4H-SiC IMPATT的毫米波功率输出更高。 但是，<112>方向的4H-SiC IMPATT二极管的品质因数Q低于方向的品质因数Q ，这意味着 与方向4H-SiC IMPATT二极管相比， <112>方向4H-SiC IMPATT二极管具有更好的稳定性和更高的微波振荡增长率。
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