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使用脉冲金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长具有面内晶格匹配的In_(0.17)Al_(0.83)N中间层的GaN膜的改善的晶体质量
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上传时间: 2021-03-04
详细说明:我们报道了通过脉冲金属-有机化学气相沉积法生长的In0.17Al0.83 N中间层在GaN膜的晶体质量方面的改进,该Ninterlayer与GaN膜在面内晶格匹配。 通过高分辨率X射线衍射估计,铟成分约为17%,并且具有InAlN中间层的GaN膜中的螺线位错和边缘线位错(TD)减少。 使用透射电子显微镜(TEM)测量来了解TD密度降低的机理。 拉曼光谱和光致发光测量表明,InAlN中间层可以改善GaN膜的晶体质量,并验证在使用InAlN中间层的GaN膜中没有引起额外的残余应力。 原子力显微镜测量表明,InAlN中间层带来了GaN膜光滑的表面形貌。 所有结果表明,InAlN中间层的插入是在GaN外延中获得优异晶体质量的便捷方法。
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