文件名称:
通过MOCVD在硅衬底上的变质AlInAs / GaInAs HEMT
开发工具:
文件大小: 694kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-04
详细说明：通过在n型硅衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的变质Al（0.50）In（0.50）As / Ga（0.47）In（0.53）As高电子迁移率晶体管（mHEMT），并引入了新型的多阶段缓冲堆栈方案是第一次被制造出来。 实现了1.0微米的栅极长度耗尽型mHEMT，最大跨导高达613 mS / mm。 单位电流增益截止频率（f（T））和最大振荡频率（f（max））分别为36.9 GHz和55.6 GHz。 对于通过MOCVD在硅上生长的1.0微米m栅长的HEMT，该器件具有最高的f（T）。 而且，该性能可与类似的基于GaAs的mHEMT媲美。 这些令人鼓舞的初步结果导致了通过MOCVD在硅基板上进行逻辑应用的集成高速变质器件的制造潜力。
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