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氧化钨纳米棒在多Kong硅上的生长及其对NO“ 2的传感特性
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下载次数: 0
上传时间: 2021-03-04
详细说明:Monoclinictungstenoxidenanorodswithdiametersof50-150nmandlengthsof5-20毫米havebeen
生长directlyontoporoussiliconwithnocatalystbythermalevaporation.Theobtainedproducts
是investigatedbyscanningelectronmicroscopy,X光衍射,拉曼光谱学,能量
dispersivespectroscopy,andtransmissionelectronmicroscopy.Themechanismswhichyielddifferent
distributionsofnanorodsontoporoussiliconwerestudied.ThesensitivitytoNO2的theporoussilicon /
硅传感器在室温下对NO2具有良好的响应和回收特性。检测到的最低的NO2浓
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